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fernando-aguilar
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8/18/2019 Informe 1 SCRf
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Universidad de Santiago de ChileFacultad de IngenieríaDepartamento de Ingeniería Eléctrica
Laboratorio de Electrónica Industrial
Experiencia ! "#ecti$cadores controladossilicio! SC#%
&lumno ! #odrigo Día' Carlos Segura Enri(ue )ergara
Fecha ! *+ de octubre ,**
Objetivos
8/18/2019 Informe 1 SCRf
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La experiencia reali'ada tiene como principales ob-etivos! conocerlos encapsulados de los SC# . demostrar el comportamiento de circuitosutili'ando éste dispositivo/
El presente in0orme inclu.e una introducción (ue trata delrecti$cador controlado de silicio/ &dem1s2 se ha detallado el desarrolloexperimental2 $nalmente obtendremos las conclusiones re0erentes altema tratado/
Introducción
#ecti$cador Controlado de Silicio 3SC#4!
Dentro de la 0amilia de dispositivos 56765672 el SC#2 el de ma.or
interés es el SC#2 construido con un material de silicio2 lo (ue permitema.or control . traba-ar a niveles m1s altos de potencia . temperatura/&dem1s2 cuenta con un tercer terminal 38ate4 para e0ectos de control/Dicha 8ate determina cuando el SC# conmuta del estado de circuitoabierto a cerrado/ La polari'ación directa de 1nodo 3terminal positivo2 &4a c1todo 3terminal negativo2 942 no es su$ciente para permitirconducción2 se necesita2 adem1s2 una tensión de 8ate positiva/
Símbolo del SC#
5ara comprender el 0uncionamiento de un SC#2 se puede e0ectuaruna analogía con tres diodos o con dos transistors/ El lector podr1comprobarlo anali'ando ambas con$guraciones/
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Aplicaciones del SCR
&lgunas de las areas m1s comunes de aplicación del SC# inclu.encontroles de relevador2 circuitos de retardo de tiempo2 0uentes de
alimentación reguladas2 interruptores est1ticos2 controles de motores2recortadores2 inversores2 cicloconversores2 cargadores de baterías2circuitos de protección2 controles de cale0acción . controles de 0ase/
Materiales y equipo utilizado
- :sciloscopio/- , Fuentes D/C/ variantes con rango de * ;iliamperímetros D/C
- &uto trans0ormador de ,,* )ac/ & * )ac/- SC# ?@7
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Desarrollo experimental
a Armar el circuito y medir ! ! "en corte! ! "RMS
e " # $
9G SC# ?@7
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3mín4 m&/
Estableciendo una corriente de gate (ue permitiera un disparo seguro2se $-ó el lado de gate/
Se hi'o variar2 reiteradamente2 la 0uente de tensión E para (ue el SC#(uedara enclavado/ Lo anterior se reali'ó hasta (ue2 al desconectar lagate2 la corriente de 1nodo permaneció constante2 sin necesidad depolari'ar la gate 3 m&4/
Una ve' encontrada se disminu.ó la tensión E,2 llegando a una
corriente2 tal (ue el SC# se desenclavaba 3 ,m&4/
b %tilizando un trans&ormador arme el si'uiente circuito(
# **9G C *2+ JF
Utili'ando el osciloscopio entre &69 . en la ampolleta2 tenemos lassiguiente im1gen!
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x = 100v
y = 170v
α = arcsen = 36º
# +*9G C JF L +* m
Utili'ando el osciloscopio entre &69 . en la ampolleta2 tenemos las
siguientes im1genes!
tg K
K arctg +2
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K *2=M
Conclusiones
En esta primera experiencia estudiamos las características .
par1metros de un SC#2 como un elemento de control ampliamenteusado en la electrónica de potencia/ Los resultados obtenidos en ladeterminación de los par1metros del SC# del punto se aproximan a losvalores característicos del dispositivo/
Se demostró el comportamiento de circuitos con SC# en c/c/ . enc/a/ Los valores medidos . las curvas obtenidas se comportaron deacuerdo a los esperado teóricamente/
Se comprobó2 experimentalmente2 (ue la corriente de latching esel doble de la corriente de holding/
Se demostró (ue2 en c/c/2 no basta con desconectar la gate paraapagar el SC#/
Se demostró (ue2 en c/a/2 una curva es el complemento de la otra3)&9 . )carga4/
)ariando el 1ngulo de disparo α2 se puede controlar la potencia2 .a(ue esta variación encuentra en relación con el 1rea de la curva detensión de la carga/ & menor 1ngulo de disparo2 ma.or ser1 la potenciaobtenida/