UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE TLAXCALA

Programa Educativo de Ingeniería Mecatrónica

Asignatura: Electrónica Analógica

Profesor:

M.C. Irma Flores Nava

Practica: Transistor Bipolar

Alumno:

Juárez Xochitemo Juan Carlos Moreno Gómez Filemón

Nava Quiroz Jesús Abraham Pacheco Díaz Francisco

Cuatrimestre: Mayo-Agosto

Grado y Grupo:

3 “B”

Fecha: 17 de Junio de 2013

ÍNDICE Introducción 1 Desarrollo 1 Marco teórico 1 Material 1 Procedimiento 2 Conclusiones generales 4

INTRODUCCIÓN Esta práctica está enfocada a mostrar el funcionamiento de un transistor de tipo npn y la forma de saturarlos para lograr un funcionamiento de amplitud mediante el uso de potenciómetros. Al aplicar una onda cuadrada y saturar el transistor la salida de la onda muestra una forma lineal.

DESARROLLO

Marco teórico: El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn. Lastres regiones se llaman emisor, base y colector. Existen dos tipos de transistores, un tipo se compone de dos regiones n separadas poruna región p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El términobipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corrienteen la estructura de transistor. La saturación ocurre cuando la unión base-emisor se polariza en directa y la corriente en la base se incrementa, la corriente en el colector también lo hace, y VCE se reduce a consecuencia de más caída a través del resistor del colector. Cuando VCE llega a su valorde saturación, VCE, la unión base-colector se polariza en directa e IC ya no puede incrementarsemás, incluso con un incremento continuo de IB.

Material 1 transistor 2N2222

Resistencias de 1 KΩ

Relevador

Diodo fastrecovery

Diodo zener

Motor

Leds

Procedimiento: Circuito 1 Para el siguiente circuito la resistencia variable tiene un valor de 10 KΩ y la resistencia del colector tiene un valor de 1 KΩ. Para el voltaje de entrada utilizaremos un generador de funciones con una frecuencia de 60 Hz y un voltaje de 10 Vp y un voltaje de polarización de 5 V.

Circuito 1

Gráficas optenidas con el ELVIS

Las gráficas anteriores muestran una variación en la onda cuadrada de entra de

10 Vp y estas solo son posibles con el potenciómetro, aumentando o reduciendo la

resistencia del mismo. Al aumentar la resistencia la forma de la onda tiene una

forma más escabrosa, pero cuando no tiene ninguna resistencia o casi igual a 0,

saturamos el transistor y obtenemos una forma de onda lineal.

VCC

5V

R1

10kΩ

Key=A 100%

Q1

2N2222A

R21kΩ

VCC

3

2

XFG1

0

1

Circuito 2

La implementación del siguiente controlador nos permite comprobar si el transistor

opera en saturación.

Comprobando de forma física, se controló el relevador por medio del

potenciómetro, ya que al paso de una corriente permite que el transistor trabaje en

modo de saturación permitiendo cerrar el transistor a tierra, energizando la bobina

del relevador provocando el cabio de estado en sus terminales.

Circuito físico

Grafica del rango de trabajo

Cuando el potenciómetro permita el paso de una corriente la cual va a ser

detectada por la bobina causando que se energice, ocurriendo el cambio de

estado.

CONCLUSIONES GENERALES El uso de transistores de unión bipolar es muy usado para la parte de potencia, mediante la aplicación de un circuito en el cual el transistor se satura, podemos modificar la forma de la onda y como trabaja.