•　�一連のレイアウト・マスク情報の自動取り込みなど、プロセス・フローのインプット・デッキを容易に作成または修正可能

•　自動およびユーザ定義によるメッシュ生成および制御

•　�2次元の構造と分布、ならびに1次元の断面をインタラクティブにプロット

•　�重要なプロセス・パラメータおよびデバイス・パラメータのランタイム抽出

•　�プロセス・フローの最適化およびモデル・パラメータのキャリブレーション

•　�CMOS、バイポーラ、SiGe/SiGeC、SiC、SOI、III -V、オプトエレクトロニクス、MEMS、およびパワー・デバイスなどのテクノロジに対して使用する重要な製造ステップすべてを高速に、そして正確にシミュレーション

•　����さまざまなデバイスにおける、�多層構造、ドーパント分布、ストレスを正確に予測

•　高度なシミュレーション環境で次のことが実現

•　�物理学の博士号を持ったエンジニアで構成されるTCAD専門のサポート・チームが、新しい半導体テクノロジに対するモデルを常に開発

•　�費用がかさむウェハの実験をシミュレーションに置き換えることで、テクノロジ開発サイクルを短縮、そして歩留まりを向上

•　�お客様とサード・パーティ企業の大切な知的財産を守る、シルバコの強力な暗号化技術を利用可能

Athena フレームワークは、プロセス・シミュレーション・モジュールをシルバコの TCAD インタラクティブ・ツールで構成する使いやすい環境に統合します。 Athena はスタンフォード大学で開発された世界的に有名なシミュレータ SUPREM-IV を進化させたもので、多数の教育 / 研究機関や企業の開発者の方々との共同開発で、多くの新しい性能が付加されています。 Athenaは、イオン注入、拡散、酸化、エッチング / デポジション、リソグラフィ、ストレス形成およびシリサイド化など、半導体産業で使用されるプロセスをシミュレートするための便利なプラットフォームです。

Athena

プロセス・シミュレーション・フレームワーク

2 次元コア・プロセス・シミュレータ

2次元光学リソグラフィ・シミュレータ

モンテカルロ法を用いたイオン注入モジュール

物理エッチング/デポジション・シミュレータ

モンテカルロ法を用いた2次元エッチング/デポジション・モジュール

SSuprem 4 は、半導体業界で製造テクノロジを設計、解析、最適化するために広く使用されている 2次元プロセス・シミュレータです。 SSuprem 4 には、拡散、イオン注入、酸化、エッチング、デポジション、シリサイド化、エピタキシ、およびストレス形成などの広範囲な物理モデルが含まれています。これらのモデルにより、最新テクノロジにおけるすべての主要なプロセスを正確にシミュレートできます。

Optolith はパワフルな非平坦に対応した 2 次元リソグラフィ・シミュレータで、最新のディープ・サブミクロンに対するリソグラフィのすべての要素 ( 結像、露光、フォトレジスト・ベーク、現像、リフロー )をシミュレートします。実際に試作して、マスクの印刷適正やプロセス管理を評価することと同様のことが、Optolith を使用すると、高速で正確に行えます。また、マスクとレジストの距離による投影結像と近接をシミュレートします。

MC Implant は、包括的なイオン注入シミュレータです。イオン阻止、欠陥の形成、非晶質材料および結晶質材料のイオン注入分布をモデリングします。豊富な測定結果との比較から、MC Implant は非常に正確で予測精度が高いことが証明されています。さまざまなイオン / ターゲットの組み合わせを、任意の形状で、基板の結晶方位、入射イオンのドーズ量やエネルギー、入射角度などを変えてシミュレートできます。

Elite は高度な 2 次元形状シミュレータで、先進の半導体テクノロジに対して、物理エッチング、デポジション、リフロー、および CMP 平坦化などのプロセスをモデリングします。Elite は Athena フレームワーク内で実行され、SSuprem 4 および Optolith などのプロセス・シミュレータとシームレスで双方向に統合されます。また、モンテカルロ法をベースとした粒子によるエッチングおよびデポジションをモデリングする、MC Etch & Deposit シミュレーション・モジュール ( オプション ) を使用することもできます。

MC Etch & Depositは、 Athenaフレームワークを介してEliteとシームレスに接続する高度な形状シミュレーション・モジュールです。このモジュールにはいくつかのモンテカルロ法をベースとしたモデルが含まれ、粒子の流れを利用したエッチング/デポジション・プロセスをシミュレートします。

SSuprem 4

MC Implant

Elite

MC Etch & Deposit

Optolith

90nm�CMOSの典型的なプロセス・フロー

SSuprem 4, Elite, MC Implant

MC Implant

SSuprem 4, MC Implant

SSuprem 4, Elite, MC Implant

トレンチのRIE

ゲート酸化ステップ

スペーサCVD

レトログレード・�ウェルでのパンチスルー

ポリシリコンの�デポジション�

ポリシリコン・�ゲート・ステップ

HALO注入

S/D注入

トレンチの酸化

スペーサ・エッチング

平坦化

フィールド注入

S/D注入

SSuprem 4

S/Dスパイク・アニール

シリサイド化

�Athenaのアーキテクチャスタンドアロン・アプリケーション

SSuprem 4 Optolith

2次元コア・プロセス・シミュレータ 2次元光学リソグラフィ・シミュレータ

MC Implant

モンテカルロ法によるイオン注入モジュール��

物理エッチング/デポジション・シミュレータ

モンテカルロ法を用いた�2次元エッチング/

デポジショ�ン・モジュール

Elite MC Etch & Deposit

Athena

Athenaの入力/出力

ドーピング/エッチング・プロファイル

膜厚、接合の深さ、およびシート抵抗

CDプロファル、Smileプロット

E-testデータ(Vt)解析

AtlasおよびDevEditへ構造をエクスポート

1次元および2次元構造

イオン注入の軌跡

GDSレイアウト

マスク・レイヤ

DevEditから構造をインポート

C-Interpreter機能

プロセス・ステップおよびプロセス条件

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