Impiantazione ionica R p projected range R p standard deviation N implanted dose [cm -2 ]

Impiantazione ionica

Rp projected rangeRp standard deviationN’ implanted dose [cm-2]

Implant dose monitor

Projected standard deviation vs energy

Projected range vs. energy

Projected range vs. energy

L R Dtp' 2 42

Profilo dopo impiantazione:

C xN

L

x R

Lp( ) exp

'

' '

FHG

IKJ

LNMM

OQPP

2

profilo dopo redistribuzione:

Profilo di drogaggio impiantato (teorico)

Profili delle impurezze impiantate (teorici e reali)vs. energia

Dispositivo: resistore diffuso o impiantato

dG(x) =qp(x)p(x)W/Ldx

jx

p dxxpxqL

WG

0

)()(

jx

p Dt

x

L

W

Dt

qNG

0

2'

4exp

R = L/W 1/(qN’pp)

R = n. quadrati X resistenza per quadro

Resistore diffuso o impiantato

Diffusione laterale

Tecniche di crescita epitassiale

Crescita di materiale sopra (epi-) la superficie del semiconduttore, con lostesso ordine (taxis) cristallografico del materiale sottostante

servono per crescere materiale meno drogatodel substrato, o materiale con drogaggioassolutamente uniforme

omoepitassia e eteroepitassia

Tecniche di epitassia

VPE

LPE - crescita lenta, strati sottili 0.2 um

MBE - controllo a livello atomico, crescitalenta 0.001 um/min - 0.3 um/min

MOCVD - deposizione chimica in fase vaporeda composti metallo-organici (es trimetilgallioGa(CH3)3; basse temperature di crescita, ottimo controllo degli strati cresciuti, rapidavelocità di crescita)

Epitassia da fase liquida (LPE)

Epitassia da fascio molecolare (MBE)

Epitassia da fase vapore (VPE)