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ESEM: environmental scanning electron microscope

Clase microscopio electronico2

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Page 1: Clase microscopio electronico2

ESEM: environmental

scanning electron microscope

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Comparando aparatos

«SimpleSEMandTEM». Publicado bajo la licencia CC BY 2.5 vía Wikimedia Commons - http://commons.wikimedia.org/wiki/File:SimpleSEMandTEM.jpg#/media/File:SimpleSEMandTEM.jpg.

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Interacción de electrones de alta energía con muestras sólidas

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Profundidad de campo

Microscopía óptica vs. SEM

• SEM presenta profundidad de campo mayor que el microscopio óptico. Por lo que es adecuado para estudiar rugosidad

• A mayor magnificación, menor enfoque

Longitud del tornillo: ~ 0.6 cm

Imagenes: the A to Z of Materials

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Ce

Fe Sr

Chemistry

Images: Harald Fjeld, UiO

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¿Cómo se obtiene una imagen?

• En resumen: disparamos electrones de alta energía y analizamos los electrones /rayos-x emitidos

Electrones incidentes Electrones de salida

Rayos-X

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¿Cómo se forma la imagen? 156 electrones!

Image

DetectorCañon de electrones

288 electrones!

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Haz de electrones – interacciones con la materia• El haz de electrones incidente es esparcido por la muestra,

tanto elástica como inelásticamente• Por lo que se tienen varios tipos de señales que son

detectables • La interacción con el volumen aumenta con el voltaje de

aceleración y decrece con el número atómico

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Image: Department of Geology and Geophysics, Louisiana State University

Para un fenómeno, un detector

• El diámetro de interacción por volumen es mayor que el diámetro del spot• La resolución es menor que el tamaño de la mancha de electrones

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Gráfico del espectro de emisión de electrones de una muestra al ser excitada por el

bombardeo de un haz primario de energía E0

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En la micrografía de electrones secundarios a 50,000 aumentos, partículas de oro depositadas sobre carbón.

Separación de 5nm entre partículas

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Electrones secundarios (E.S.)• Generados por la colisión

entre los E. Incidentes y los electrones externos

• Electrones de baja energía (~10-50 eV)

• Solo E.S son generados a la superficie de (se obtiene información topográfica)

• El núm. De E.S es mayor que el de incidentes

• Se pueden diferenciar entre ES1 y ES2

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ES1

• Los E. S. 1 que son generados por el haz incidente conforme entra a la superficie

• La señal es de alta resolución, limitada por el diámetro del haz incidente

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E.S.2• Son generados

por los electrones dispersados, después de varios eventos inelásticos

• E.S.2 salen a la superficie con un haz más ancho, por lo que la resolución es más pobre que para los E.S.1

Superficiede la muestra

Haz incidente ES2

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ELECTRONES SECUNDARIOS

• se emplea normalmente para obtener una imagen de la muestra

• emerge de la superficie de la muestra con una energía inferior a 50 eV

• solo los que están muy próximos a la superficie tienen alguna probabilidad de escapar. Dan una imagen tridimensional

• Rango de 10 a 200.000 aumentos

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Detector de electrones Auger y secundarios

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Factores que afectan la emisión E.S1. Número atómico (Z)– Más ES2 son creados al

aumentar Z– La dependencia-Z es más

drástica a energías bajas2. La curvatura local de la

superficie (el factor más importante)

Image: Smith College Northampton, Massachusetts

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Electrones retrodispersados• Energía mayor de 50eV• Imagen de zonas con distinto Z• A mayor numero atómico mayor intensidad.

Este hecho permite distinguir fases de un material de diferente composición química. Las zonas con menor Z se verán mas oscuras que las zonas que tienen mayor número atómico.

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Electrones retodispersados: Backscattered electrons (BSE)

• Una fracción de los electrones incidentes alcanza el núcleo, si es dispersado a un ángulo cercano a 180 ° el electrón puede escapar en un proceso de esparcimiento

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MENA3100

Backscattered electrons (BSE)• Electrones de alta energía (Esparcimiento elástico)• Menos son los BSE que lo SE• Se puede diferenciar de entre BSE1 y BSE2

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BSE vs ES

Images: Greg Meeker, USGS

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Aleación Plata-Cobre-Niquel

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Electrones retrodispersados

• Más energéticos que electrones secundarios• Emergen de zonas más profundas• Aportan información del Z medio• Información sobre composición muestra• Zonas con menor Z más oscuras

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Rayos-X• Fotones, no electrones• Cada elemento presenta una

señal de rayos-X caracteristica

• La resolución espacial es pobre. Comparado con BSE y ES

• Pocos rayos son emitidos, su detección es ineficiente, se requiren teimpos largos de sensado.

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Nomenclatura de líneas de RX

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DETECTOR

• Monocristal de Si.Actua como diodo• Buena correlación energía disipada/pares e-

hueco generados (pulsos de carga)• La conductividad residual se elimina, baja T y

dopado con Li• La eficiencia requiere; alto vacío, ventana

transparente a RX (Be)• Los RX por debajo del Na los absorbe el Be

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Sección transversal de un típico detector de silicio dopado con litio. Los rayos X crean pares electrón- hueco en la región intrínseca del semiconductor; estos portadores de

carga migran entonces a los electrodos bajo la influencia de un voltaje de polarización

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El análisis cuantitativo comprende cinco pasos

1. reconocimiento de picos espúreos2. identificación de los elementos presentes en

la muestra a partir de los picos que aparecen en el espectro

3. extracción del ruido de fondo4. resolución de los picos espectrales5. cómputo de la concentración de elementos

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Espectro de rayos X

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Detectores tradicionales• Electrones secundarios:

Detector• Electrones retodispersados:

Detector de estado sólido•Rayos-X: Espectrometro de

energía dispersada (EDS)

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Detectores

Image: Anders W. B. Skilbred, UiO

Deterctor de de electones secundarios :(Everhart-Thornley)

Detector de E. Retrodispersados:(Detector de estado sólido)