8/18/2019 Analise Fet Apoio
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Prof. Dr. Aparecido Nicolett
PUC-SP
Aula 07
Análise do FET para
Pequenos Sinais
(pág. 320 a 325)
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• Características:
- ótimo ganho de tensão (Av)
- alta impedância de entrada (Zi)
- baixo consumo de potência
- ampla resposta em frequência
• Configurações:
- fonte comum
- dreno comum
- porta comum
Slide 1 Análise do FET para Pequenos Sinais
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Modelo do FET para pequenos sinais
• A tensão de porta-fonte controla a corrente dreno-fonte (canal) de um FET.
2
GSDSSD
Vp
V1II
−=
GSmD V.gI ∆=∆ [9.1] gm = transcondutância
GS
Dm
V
Ig
∆
∆= [9.2]
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Determinação gráfica de gm
FIGURE 9-1 Definition of g m using transfer characteristic.
gm é a inclinação da
curva no ponto de
operação.
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Determinação matemática de gm
“A deriva de uma função em um ponto é igual à inclinação da reta tangente desenhadaneste ponto.”
−=∆
∆=
2
GSDSSGS ptoQGS
DmVp
V1IdV
d
V
Ig
−=
VpV1
VpI2g GSDSSm
[9.4]
gm (máx.)→ VGS = 0V
−=
VpV1gg GSmom
Vp
I2g DSSmo = [9.5]
[9.6]{
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Exemplo 9.2
gmo = ?
gm em cada ponto = ?
V/A10.44
10.8.2
Vp
I2g 3
3Dss
mo−
−
===
V/A10.5,3)V5,0V(g 3GSm−=−=
V/A10.5,2)V5,1V(g 3GSm −=−=
V/A10.5,1)V5,2V(g 3GSm−=−=
Obs: Nas folhas de dados,
gm = Yfs
(Fig. 9.2)
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Gráfico de gm x VGS
(Fig. 9.3)
−= Vp
V1gg GSmom
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Impacto de ID sobre gm
2GS
DSSDVp
V1II
−=
Vp
V1
I
I GS
DSS
D −= [9.8]
Substituindo [9.8] em [9.6], tem-se:
DSS
D
mo
GS
mom I
Ig
Vp
V1gg =
−= [9.9]
momDSSDm gg)II(g =→=
momDSS
Dm g.707,0g)2
II(g =→=
momDSS
Dm g.5,0g)4
II(g =→=
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Exemplo 9.4
IDSS = 8 mA
Vp = - 4V
(Fig. 9.5)
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• Impedância de entrada (Zi)
Zi (FET) = ∝ Ω [9.10]
Exemplo:
FET⇒ 1000 MΩ
MOSFET⇒ 10E12 a 10E15 Ω
• Impedãncia de saída (Zo)
Zo = 1/Yos Yos = admitância de saída
Exemplo:
Yos = 10µS⇒ Zo = 20 k ΩZo (FET) = rd = 1/Yos [9.11]
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Definição de rd
(Fig. 9.6)
cteGSVD
DS
I
Vrd
=∆
∆= [9.12]
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Exemplo 9.5
rd = 25 k Ω
rd = 80 k Ω
(Fig. 9.7)
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Circuito Equivalente CA
(Fig. 9.8)
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Exemplo 9.6
Dados:
Yfs = 3,8 mS
Yos = 20 µS
Zo (FET) = rd = 1/Yos
gm = Yfs
(Fig. 9.9)
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