Upload
vinaykumaar
View
221
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
1/8
1
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary DataIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter
Hchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emitter voltage
Tvj= 25C VCES 600 V
Kollektor-DauergleichstromContinuous DC collector current
TC= 80C, Tvj max= 175CTC= 25C, Tvj max= 175C
IC nomIC
1522
AA
Periodischer Kollektor-SpitzenstromRepetitive peak collector current tP= 1 ms ICRM 30 A
Gesamt-VerlustleistungTotal power dissipation
TC= 25C, Tvj max= 175 Ptot 65,0 W
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitter peak voltage
VGES +/-20 V
Charakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SttigungsspannungCollector-emitter saturation voltage
IC= 15 A, VGE= 15 VIC= 15 A, VGE= 15 VIC= 15 A, VGE= 15 V
VCE sat 1,55
1,701,80
2,00
VVV
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Gate-SchwellenspannungGate threshold voltage IC= 0,20 mA, VCE= VGE, Tvj= 25C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
GateladungGate charge VGE= -15 V ... +15 V QG 0,15 C
Interner GatewiderstandInternal gate resistor
Tvj= 25C RGint 0,0
EingangskapazittInput capacitance
f = 1 MHz, Tvj= 25C, VCE= 25 V, VGE= 0 V Cies 0,83 nF
RckwirkungskapazittReverse transfer capacitance f = 1 MHz, Tvj= 25C, VCE= 25 V, VGE= 0 V Cres 0,026 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emitter cut-off current VCE= 600 V, VGE= 0 V, Tvj= 25C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitter leakage current
VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25C IGES 400 nA
Einschaltverzgerungszeit, induktive LastTurn-on delay time, inductive load
IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 VRGon= 22
td on
0,0140,0140,014
sss
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Anstiegszeit, induktive LastRise time, inductive load
IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 VRGon= 22
tr
0,0110,0150,015
sss
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Abschaltverzgerungszeit, induktive LastTurn-off delay time, inductive load
IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 VRGoff= 22
td off
0,110,130,14
sss
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Fallzeit, induktive LastFall time, inductive load
IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 V
RGoff= 22
tf
0,0850,11
0,12
ss
s
Tvj= 25CTvj= 125C
Tvj= 150C
Einschaltverlustenergie pro PulsTurn-on energy loss per pulse
IC= 15 A, VCE= 300 V, LS= 50 nHVGE= 15 VRGon= 22
Eon 0,250,320,36
mJmJmJ
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Abschaltverlustenergie pro PulsTurn-off energy loss per pulse
IC= 15 A, VCE= 300 V, LS= 50 nHVGE= 15 VRGoff= 22
Eoff 0,340,440,46
mJmJmJ
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
KurzschluverhaltenSC data
VGE15 V, VCC= 360 VVCEmax= VCES-LsCEdi/dt
ISC 10075
AA
Tvj= 25CTvj= 150C
tP8 s,tP6 s,
Wrmewiderstand, Chip bis GehuseThermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT RthJC 2,10 2,30 K/W
Wrmewiderstand, Gehuse bis KhlkrperThermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBTPaste= 1 W/(mK) / grease= 1 W/(mK)
RthCH 0,90 K/W
Temperatur im SchaltbetriebTemperature under switching conditions Tvj op -40 150 C
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
2/8
2
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary Data
Diode, Wechselrichter / Diode, InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesPeriodische SpitzensperrspannungRepetitive peak reverse voltage
Tvj= 25C VRRM 600 V
DauergleichstromContinuous DC forward current IF 15 A
Periodischer SpitzenstromRepetitive peak forward current tP= 1 ms IFRM 30 A
GrenzlastintegralIt - value
VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125CVR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 150C
It 22,520,5
AsAs
Charakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max.DurchlassspannungForward voltage
IF= 15 A, VGE= 0 VIF= 15 A, VGE= 0 VIF= 15 A, VGE= 0 V
VF 1,60
1,551,50
2,05
VVV
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
RckstromspitzePeak reverse recovery current
IF= 15 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=150C)VR= 300 VVGE= -15 V
IRM 23,025,026,0
AAA
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
SperrverzgerungsladungRecovered charge
IF= 15 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=150C)VR= 300 VVGE= -15 V
Qr 0,801,401,70
CCC
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Abschaltenergie pro PulsReverse recovery energy
IF= 15 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=150C)VR= 300 VVGE= -15 V
Erec 0,160,280,37
mJmJmJ
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Wrmewiderstand, Chip bis GehuseThermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode RthJC 3,10 3,40 K/W
Wrmewiderstand, Gehuse bis KhlkrperThermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diodePaste= 1 W/(mK) / grease= 1 W/(mK)
RthCH 1,20 K/W
Temperatur im SchaltbetriebTemperature under switching conditions Tvj op -40 150 C
NTC-Widerstand / NTC-ThermistorCharakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max.NennwiderstandRated resistance
TC= 25C R25 5,00 k
Abweichung von R100Deviation of R100 TC= 100C, R100= 493 R/R -5 5 %
VerlustleistungPower dissipation TC= 25C P25 20,0 mW
B-WertB-value
R2= R25exp [B25/50(1/T2- 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value
R2= R25exp [B25/80(1/T2- 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K
B-WertB-value R2= R25exp [B25/100(1/T2- 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K
Angaben gem gltiger Application Note.Specification according to the valid application note.
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
3/8
3
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary Data
Modul / ModuleIsolations-PrfspannungIsolation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Innere IsolationInternal isolation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)basic insulation (class 1, IEC 61140)
Al2O3
KriechstreckeCreepage distance
Kontakt - Khlkrper / terminal to heatsinkKontakt - Kontakt / terminal to terminal
5,05,0
mm
LuftstreckeClearance
Kontakt - Khlkrper / terminal to heatsinkKontakt - Kontakt / terminal to terminal
3,23,2
mm
Vergleichszahl der KriechwegbildungComperative tracking index CTI > 225
min. typ. max.
ModulstreuinduktivittStray inductance module LsCE 25 nH
Modulleitungswiderstand, Anschlsse -ChipModule lead resistance, terminals - chip
TC= 25C, pro Schalter / per switch RCC'+EE' 9,50 m
LagertemperaturStorage temperature Tstg -40 125 C
Anpresskraft fr mech. Bef. pro Federmountig force per clamp
F 30 - 50 N
GewichtWeight G 10 g
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
4/8
4
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary Data
Ausgangskennlinie IGBT,Wechselrichter (typisch)output characteristic IGBT,Inverter (typical)IC= f (VCE)VGE= 15 V
VCE[V]
IC[A]
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,00
5
10
15
20
25
30
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
Ausgangskennlinienfeld IGBT,Wechselrichter (typisch)output characteristic IGBT,Inverter (typical)IC= f (VCE)Tvj= 150C
VCE[V]
IC[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
5
10
15
20
25
30
VGE= 19 VVGE= 17 VVGE= 15 VVGE= 13 VVGE= 11 VVGE= 9 V
bertragungscharakteristik IGBT,Wechselrichter (typisch)transfer characteristic IGBT,Inverter(typical)IC= f (VGE)VCE= 20 V
VGE[V]
IC[A]
5 6 7 8 9 10 11 12
0
5
10
15
20
25
30
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter (typisch)switching losses IGBT,Inverter (typical)Eon= f (IC), Eoff= f (IC)VGE= 15 V, RGon= 22 , RGoff= 22 , VCE= 300 V
IC[A]
E[mJ]
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
Eon, Tvj= 125CEoff, Tvj= 125CEon, Tvj= 150CEoff, Tvj= 150C
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
5/8
5
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary Data
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter (typisch)switching losses IGBT,Inverter (typical)Eon= f (RG), Eoff= f (RG)VGE= 15 V, IC= 15 A, VCE= 300 V
RG[]
E[mJ
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 2200,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
Eon, Tvj= 125CEoff, Tvj= 125CEon, Tvj= 150CEoff, Tvj= 150C
Transienter Wrmewiderstand IGBT,Wechselrichtertransient thermal impedance IGBT,InverterZthJH= f (t)
t [s]
ZthJH[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,1
1
10
ZthJH: IGBT
i:ri[K/W]:i[s]:
10,27009910,0005
20,61235790,005
31,0345320,05
41,0830110,2
Sicherer Rckwrts-Arbeitsbereich IGBT,Wechselrichter(RBSOA)reverse bias safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA)IC= f (VCE)VGE= 15 V, RGoff= 22 , Tvj= 150C
VCE [V]
IC[A]
0 100 200 300 400 500 600 700
0
5
10
15
20
25
30
35
IC, ModulIC, Chip
Durchlasskennlinie der Diode, Wechselrichter (typisch)forward characteristic of Diode, Inverter (typical)IF= f (VF)
VF[V]
IF[A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
0
5
10
15
20
25
30
Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
6/8
6
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary Data
Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)switching losses Diode, Inverter (typical)Erec= f (IF)RGon= 22 , VCE= 300 V
IF[A]
E[mJ
]
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 300,0
0,2
0,4
0,6
0,8
Erec, Tvj= 125CErec, Tvj= 150C
Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)switching losses Diode, Inverter (typical)Erec= f (RG)IF= 15 A, VCE= 300 V
RG[]
E[mJ
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 2200,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
Erec, Tvj= 125CErec, Tvj= 150C
Transienter Wrmewiderstand Diode, Wechselrichtertransient thermal impedance Diode, InverterZthJH= f (t)
t [s]
ZthJH[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,1
1
10
ZthJH: Diode
i:ri[K/W]:i[s]:
10,3870,0005
20,87720,005
31,48350,05
41,55230,2
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie (typisch)NTC-Thermistor-temperature characteristic (typical)R = f (T)
TC[C]
R[]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
Rtyp
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
7/8
7
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary Data
Schaltplan / circuit_diagram_headline
J
Gehuseabmessungen / package outlines
8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3
8/8
8
Technische Information / Technical Information
FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules
prepared by: DPK
approved by: RK
date of publication: 2013-10-03
revision: 2.0
Vorlufige DatenPreliminary Data
NutzungsbedingungenDie in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilungder Eignung dieses Produktes fr Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstndigkeit der bereitgestellten Produktdaten fr diese
Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche Gewhrleistung bernehmen. Einesolche Gewhrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien
jeglicher Art werden fr das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls bernommen. Die Angaben in den gltigen Anwendungs- undMontagehinweisen des Moduls sind zu beachten.
Sollten Sie von uns Produktinformationen bentigen, die ber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere einespezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fr Sie zustndigen Vertriebsbro inVerbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Fr Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen knnte unser Produkt gesundheitsgefhrdende Substanzen enthalten. Bei Rckfragen zu den indiesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fr Sie zustndigen Vertriebsbro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder lebenserhaltendenAnwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhngig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche nderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments willhave to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to suchapplication.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is grantedexclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and itscharacteristics. The information in the valid application- and assembly notes of the module must be considered.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application ofour product, please contact the sales office, which is responsible for you ( see www.infineon.com ). For those that are specificallyinterested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact thesales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Pleasenote, that for any such applications we urgently recommend- to perform joint Risk and Quality Assessments;- the conclusion of Quality Agreements;- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.