SPring 8でのでのピクセルクセル検出器検出器のの …detector.spring8.or.jp/pixel/pilatus_nagoya.pdfSPring‐8でのでのピクセルクセル検出器検出器のの

SPring‐8でのピクセル検出器のg でのクセル検出器の利用研究の現状と展望

高輝度光科学研究センター

制御・情報部門ビームライン制御グループ

豊川秀訓, 川瀬守弘, 古川行人, 広野等子, 増永啓康, 大端通

Hidenori Toyokawa @ JASRI/SPring‐8 第9回シンクロトロン光利用者研究会, 名古屋大学, 2009年2月10日 1

PILATUS: フォトンカンティング型ピクセル検出器

PILATUS 100KNumber of modules 1Sensor Silicon diode array (320 m)PILATUS‐100K Sensor Silicon diode array (320 μm)Pixel size 172 x 172 μm2

Format 487 x 195 = 94,965 pixelsArea 83.8 x 33.5 mm2

Dynamic range 20 bit (1:1,046,576)Counting rate > 2 x 106 X-rays/s per pixelQuantum efficiency 8 keV:99%, 15 keV:55%Readout time 2.7 msFraming rate 300 HzPoint-spread function 1 pixelData format 32 bit TIFF, 375 kBExternal trigger 5V TTLExternal trigger 5V TTLSoftware interface Socket connectionCooling Air-cooledPower consumption 15 WDimension 275 x 146 x 85 mmDimension 275 x 146 x 85 mmWeight 4 kg


PSI（スイス）との国際研究協力PSIでの２つの大型プロジクト• PSIでの２つの大型プロジェクト– CMS(Compact Muon Solenoid)/LHC@CERN– SLS(Swiss Light Source)@PSI

グ検ピ– CMSのトラッキング検出器とSLSの2次元ピクセル検出器（PILATUS: Pixel Apparatus for the SLS ）の同時開発（要素技術を共有）

• 1997 SPring 8供用開始• 1997 SPring‐8供用開始• 1999 放射光技術に関するPSIとSPring‐8の研

究協力協定締結– Pixel Apparatus for SPring‐8

• 2001 SLS供用開始– 2001 PILATUS‐I型初号機– 2005 PILATUS‐II型初号機 ☞ SPring‐8へ– CMSに先駆けて実用機の完成

• 2006 SLS検出器グループの一部が独立しM PILATUS

検出器グル部独しDectris社を起業して独立– 2008.10 新工場へ移動し本格的なセールス開始– SLS検出器グループはメンバーを増員してアクティ

Mt. PILATUS

Hidenori Toyokawa @ JASRI/SPring‐8 第9回シンクロトロン光利用者研究会, 名古屋大学, 2009年2月10日

検出器グンを増員アクティビティを維持

3

ハイブリッド型ピクセル検出器の原理

高抵抗シリコンウエア上に2次元配列されたpnダイオードアレイセンサーとCMOS読み出し集ダイオドアレイセンサとCMOS読み出し集積回路との組み合わせによるハイブリッドピクセル型検出器

センサー上の各ピクセルと読み出し回路とは、直径15μm程度のインジウムバンプを用いて接合されている。

Si sensor, d=320 μm Readout ChipSi sensor, d=320 μm Readout Chip

Bumps 18 μm

Pixel 172 x 172 μm2 Wirebonds

Bumps 18 μm

Pixel 172 x 172 μm2 Wirebonds


Pixel 172 x 172 μm WirebondsPixel 172 x 172 μm Wirebonds

4

PILATUS‐II 読み出し集積回路

全ピク前置増幅回路波高弁別回路カウタ回路を搭載全てのピクセルに前置増幅回路＋波高弁別回路＋カウンター回路を搭載

Rowsel

Row

selection

DIN

PILATUS II Chip: 60 cols, 97 rows

Coloum

nselection

Colsel

ENADCLK

DINDOUTDCALAOUT

6 Bit LatchPi l

PixselPILATUS II Pixel Cell

CHSEL GlobalTresh

+ DAC

CSAmp

CompBumpPad

Pixsel

-

+20 bit Counter

PixselPulseShaper φ1-

Genφ2

CNT/RO

• 60 × 97 = 5820 pixels p

DOUTAOUT

RowselPixsel

Pixsel

Pixsel

Pixsel

ColselCAL

1.6fF&

DCLKENA DIN

p• Pixel size 172 ×172 μm2• Chip size 17.54 ×10.45mm2

• 20 bit counter/pixel (1,048,575 X‐rays)• 6 bit DAC for threshold adjustment


DOUTAOUT ColselCAL DCLKENA DINj

利用者に参考にして欲しい一視点

ピクセル検出器CMOSフラットパネルマイクロストリプ

イメージングプレート >100 000

アナログデータ転送デジタル転送

ピクセル検出器マイクロストリップガス検出器

イメジングプレトＣＣＤ型検出器

>100,000

多素子SSD,APD

高速読み出し化

積分型と微分型（フォトンカウンティング）

X-rayson detector

E

Integrating イメージングプレート

ADCQ detector

t 不感度時間がない利点はあるが、

イメジングプレトＣＣＤ型検出器フラットパネル

t

Single photoncounting detector

不感度時間がない利点はあるが、読み出しのノイズ等の欠点あり

シンチレーション検出器半導体SSD APDV

ThresholdAmplifieroutput

ノイズフリーネギ弁別

半導体SSD、APDPILATUS

VComparatoroutput

Counterエネルギー弁別微弱から強強度までの線形性ダイナミックレンジ制限なしデジタル読み出し（高速）


デジタル読み出し（高速）

積分型画像検出器との比較蛍光スクリーン+FOT+CCD型検出器蛍光スクリン+FOT+CCD型検出器

タンパク質結晶（Cytidine）のＸ線回折像

2 × 8 枚の画像を取得して 974 × 780 ピクセルの画像に統合

PILATUS 100K

ルの画像統合


ADSC Q210 PILATUS-100K

積分型画像検出器との比較（つづき）蛍光スクリーン+FOT+CCD型検出器蛍光スクリン+FOT+CCD型検出器

タンパク質結晶（Cytidine）のＸ線回折像からのビーム中心から高角側への積分強度

ADSC Q210 PILATUS-100KADSC Q210 PILATUS-100K

弱い反射が読み出しノイズに埋もれてしまう

微弱な反射から高強度まで広いダイナミックレンジで精度の良い計測が可能


精度の良い計測が可能

多素子フォトンカウンティング型検出器の例蛍光XAFS用19素子Ge検出器蛍光XAFS用19素子Ge検出器

波高整形増幅回路＋波高弁別回路（４ch）

カウ

旧式

ウンター

旧式

現行

入射窓

現行

プリアンプデジタル信号処理


集積化には限界がある（＜１００素子）

可搬性に富み、設置が簡便なコンパクトなシステム

センサー

アンプ約１０万ピクセル分の回路が検出器に内蔵

コンパレーター

カウンター

検出器に内蔵

GigaSTAR LinuxPCGigaSTAR

+120V電源

±5V電源

ケーブル３本のみ


実験ハッチ

３本のみ

５台のPILATUS‐100Kが稼働中、１台追加予定• PILATUS‐100K 1号機、2号機

– 2007A: BL01B1, BL02B1, BL04B2, BL13XU, BL19LXU,BL22XU, BL37XU, BL46XU

– 2007B: BL01B1, BL02B1, BL04B2, BL12XU, BL13XU, BL19B2, BL19LXU, BL22XU, BL37XU, BL39XU

– 2008A: BL02B1, BL04B2, BL12XU, Bl13XU, BL19LXU2008A: BL02B1, BL04B2, BL12XU, Bl13XU, BL19LXU– 2008B: BL02B1, BL13XU, BL29XU

• PILATUS‐100K‐S（産業利用）2008A BL19B2 BL46XU– 2008A: BL19B2, BL46XU

– 2008B: BL02B1, BL19B2, BL46XU• PILATUS‐100K‐U（分光物性Ⅰ）

– 2008A: BL01B1, BL37XU, BL39XU– 2008B: BL01B1, BL37XU, BL39XU

• PILATUS‐100K 450μmセンサーUS 00 50μ センサ– 2008B: BL04B2, BL28B2, BL46XU

• PILATUS‐100K‐ショートボックス型（BL13XU）2008年度末新規導入予定


– 2008年度末新規導入予定

12

高フレーム率測定の例

露光露光露光expp

読み出し読み出し読み出し（>3ミリ秒）

expt デューティサイクル比expt/expp=70%

expo フレーム率100 fps

ni

expp 0.01expt 0 007

image_00000.tifimage 00001 tifexpt 0.007

ni 10000expo image.tif

image_00001.tif:

image_09999.tif


鉄鋼溶接凝固過程のin‐situ XRD時分割測定住友金属工業総合技術研究所米村光治氏他住友金属工業総合技術研究所米村光治氏他

■Initial stage : δ200//NbC220 (100)δ// (100)NbC■Final stage : Matrix: preferred orientation, NbC: distorted orientation

γ(111)γ(200)Halo pattern (Liquid Phase)

x

(a)200℃ 時間分解能10msec100秒間追随NbC(200)

NbC(311)NbC(111)

δ(110)yNbC(220)

(b)500℃

(e)1420℃

100秒間追随（10,000画像）

Hea

ting

Cool

ing

(200)

γ220γ(111)

( )1400℃

(f)1370℃

γ(200)

NbC(111)

NbC(200)NbC(220)

δ(200)γ(111)γ(111)

δ(110) (g)1150℃

(c)1400℃

δ(200)

γ(200)δ(110)

(d)1660℃


δ(110)Halo pattern (Liquid Phase) (h)300℃

外場との同期測定の例パルス磁場との同期パルス磁場との同期

3540 X8 @ ISSP_071115

C : 12 mF

検出器背面パネル

15202530 0.5 kV

1 kV3 kV5 kV7 kV9 kV10 kV

netic

fiel

d (T

)

05

1015

Mag

n

00 4 8 12 16 20 24 28

Time (ms)TTLトリガー

Delay磁場発振

exttコマンド

0 004 i 00000 tifexpp 0.004expt 0.001ni 20extt image tif

image_00000.tifimage_00001.tif

:image 00019 tif


extt image.tif image_00019.tif

パルス強磁場下における時分割Ｘ線回折東北大学金属研究所鳴海康雄准教授他

反強磁性体CoO 反強磁性秩序TN 〜 290 K

東学属研究所鳴海康雄教授他(110)

N

構造相転移立方晶→正方晶a = 4.2552 Åc = 4.2058 Å

磁場の印加による大きな磁気体積効果が期待

測定温度:160 K、磁場〜20 T露光時間：1 msec入射Ｘ線エネルギー：24 keV（λ〜0.5Å）

磁気体積効果が期待回転中心から検出器までの距離：500 mm

0.020

e)

X‐ray Diffractometer Combining Synchrotron Radiation and Pulsed Magnetic Fields up to 40 T Y Narumi et al J Synchrotron Rad (2006) 13 271 274

0 005

0.010

0.015 CoO powderT = 160 K

ffer

ence

2θ

(deg

reeFields up to 40 T, Y. Narumi et al., J. Synchrotron Rad. (2006). 13, 271‐274

Lattice Distortion in Antiferromagnetic CoO under High Magnetic Fields , Y. Narumi et al., J. Phys. Soc. Jpn. 75 (2006) 075001 Field‐induced Lattice Staircase in a Frustrated Antiferromagnet CuFeO2, N. Terada et al., Phys. Rev. B 74, 180404(R) (2006)Lattice Deformations Induced by an Applied Magnetic Field in the Frustrated

-0.005

0.000

0.005

0 5 10 15 20 25 30 35 40pe

ak p

ositi

on d

ifLattice Deformations Induced by an Applied Magnetic Field in the Frustrated Antiferromagnet HgCr2O4, Y. Tanaka et al., J. Phys. Soc. Jpn. 76 (2007) 043708Correlation between crystal structure and magnetism in the frustrated antiferromagnet CuFeO2 under high magnetic fields, N. Terada et al., Phys. Rev. B 75, 224411 (2007) Magnetization Process and the Associated Lattice Deformations in an


magnetic field (tesla)Magnetization Process and the Associated Lattice Deformations in an Intermetallic Compound Gd5Ge3, Y. Narumi et al., J. Phys. Soc. Jpn. 77 (2008) 053711

超小角散乱への応用（BL19B2）数100ナノスケールの構造解析（高分子、繊維等）

カメラ長35～40m35 40m

2008A期に実施された課題極小角X線散乱法による高強度・高弾性率繊維のナノスケール構造に関する研究（東洋紡総合研究所、福島靖憲氏他）末端を官能基修飾した高機能ゴム材料の開発（ＪＳＲ、富永哲雄氏他）末端を官能基修飾した高機能材料の開発（、富永哲雄氏他）極小角X散乱法を用いた光学用ポリエステルフィルムの散乱体構造評価（帝人、佐藤和彦氏他）他１課題成果公開延期


他１課題成果公開延期

シリカ粒子を用いた模擬実験の結果

PILATUSでは５桁以上の

IPデータの一部露光時

PILATUS露光時

PILATUSでは５桁以上のダイナミックレンジを達成（原理的には６桁以上）


（露光時間５分）（露光時間２分）

ビームラインとの連動の例１溶液界面回折計@BL37XU

PILATUS

Ionizationchamber

Deflection crystal+ diffractometer

Sample

MOSTAB

X‐ray

2θ arm

absorber

Air bearingStone stage第1ステージ

第２ステージ


スリットスキャンによる従来の手法

-1

Background散乱特に、液液界面で著しく大

検出器スキャン必要

1.0x101

0.8

sity

(a.

u.) Detector height scan

@ qz = 0.200 A-1

オイル層

入射X線反射X線

0.6

0.4

d b

eam

inte

ns

1

100

オイル層

水層散乱X線

0.2

0.0Reflecte

d

-1000 -500 0 500 1000

10-4

10-3

10-2

10-1

ctiv

ity

Detector height (μm)

10-7

10-6

10-5

104

Ref

lec

反射率小

スキャンに長時間必要10

-8

10

0.40.30.20.10.0

Qz (A-1

)

射率

スキャンに長時間必要

⇒ 時分割測定の律速

ダブルスリトの精密な位置調整


ヘキサン/水界面の反射率ダブルスリットの精密な位置調整

PILATUSによる反射光プロファイル測定10

5

104

2

46

10

unt

s)

Peak line +1 -1 +2-2

250

245

610

3

2

46

nte

nsi

ty (

co

2

260

255

rtic

al

102

2

46In

80706050403020

265

260

ve

2

46

105

ts)

Sum

Pixel

84807672horizontal

270

103

2

46

104

nsity

(cou

nt

気液界面反射光プロファイル

反射光とbackgroundの分離容易

horizontal

102

2

46

103

Inte

80706050403020

反射光とbackgroundの分離容易検出器スキャン不要

⇒ 大幅な計測時間の短縮が実現


80706050403020

Pixel

気液界面反射率測定

計測時間の大幅な短縮 100

バッファ水溶液反射率

@ E=15 keV

計測時間の大幅な短縮

総計測時間： 280 s

正味計測時間 10-2

10-1

100

@ E 15 keV正味計測時間

1 s/1点×80点 = 80 s

機器制御時間 10-4

10-3

ctiv

ity

2.5 s/1点×80点 = 200 s

10-7

10-6

10-5

Reflec

高精度計測の実現

10-9

10-8

10高精度計測の実現

反射率 ~ 10‐9

qz ~ 7 nm‐1

76543210

qz (nm-1

)時間分解計測の実現

qz

fl i f f i i d b li id i f fl S i 8 hkX‐ray reflection from a water surface investigated by a new liquid interface reflectometer at SPring‐8, YohkoF Yano et al., Journal of Physics: Conference Series 83 (2007) 012024Instability of Absorbed Films of 1‐Dodecanol and its Mixture with Sodium Dodecyl Sulfate at the Air/Water Interface, Chika Akabane et al., Transaction of the Materials Reserch Society of Japan, 33[3] 637‐640D i i F b hi d Ad i I d d P i U f ldi A Ti R l d X R fl i i S d


Driving Force behind Adsorption‐Induced Protein Unfolding: A Time‐Resolved X‐ray Reflectivity Study on Lysozyme Adsorbed at an Air/Water Interface, Yohko F. Yano et al., Langmuir, to be published

ビームラインとの連動の例２深さ分解蛍光Ｘ線XAFS@BL01B1&BL37XU深さ分解蛍光Ｘ線XAFS@BL01B1&BL37XU

PILATUS

IncidentX-ray

Fluorescence X-ray

PILATUS image dataPixel size: 172 μm195 480 i lPILATUSX ray

Each line of PILATUS⇒ Exit angle of

195 × 480 pixels

Layer 1

Layer 2Detectable High exit angle

⇒ Exit angle of fluorescence X-ray

Layer 3Detectable

Undetectable SurfaceHigh exit-angle

PILATUSを蛍光XAFS検出器として応用試料からの蛍光Ｘ線の分布をイメージとして測定し各ラインに対すXAFSスペクトルから深さ情報を得る


固体燃料電池電極表面のナノイオニクス解明

3 5 の深さ分解能実現

イオンチェンバー

ガス導入システム

ガス除害システム

3-5 nmの深さ分解能実現SOFC電極に適用実績

白色X線

深さ依存蛍光Ｘ線

Fe-4Mn合金アニール処理 @ 500℃深さ方向の構造変化発生

In-situ反応試料セルPILATUS

検出器

分光器

X線蛍光Ｘ線

Mn K端XAFS表面近傍：合金

内部

PILATUSdetector

Mn酸化状態内部：

Fe-4Mn合金

合金

深さ分解能

～3 - 5 nm程度

表面

X-rayI0 ion chamber

In situ cell

表面

酸化物～ 30 nm


ay

篠田（東北大）、高垣、谷田、寺田、宇留賀（JASRI)

2008Aで実施された課題• BL02B1（単結晶構造解析）

– 共存する電荷秩序が作る機能と構造：電荷秩序ゆらぎの時間・空間分解Ｘ線回折– 共存する電荷秩序が作る機能と構造：電荷秩序ゆらぎの時間空間分解Ｘ線回折（2 θ-(BEDT-TTF)2MZn(SCN)4(M=Cs，Rb)の低温電荷秩序構造、電流印加下時分割Ｘ線回折）

• BL04B2（高エネルギーＸ線回折）– 静電浮遊法を用いたボロン融体のⅩ線構造解析（レーザー加熱融解、凝固過程の時分割観察、過冷却）

• BL12XU（台湾ビームラインID）BL12XU（台湾ビムラインID）– ☞二次元検出器を用いた共鳴非弾性Ｘ線散乱の高分解能・高効率化（Mn K-edge:111meV、Cu K-edge 120 meV）

• BL13XU（表面界面構造解析）– ナノガラスパターンの放射光ＸＲＤ測定によるナノパターンの構造解析とナノパターン配列の定量的評価による高機能ガラス

の開発（ホットナノインプリント技術によるナノパターンガラスの表面構造解析、小角散乱、12.4keV、8.5m）

（産業利）• BL19B2（産業利用Ⅰ）– 極小角X線散乱法による高強度・高弾性率繊維のナノスケール構造に関する研究– 末端を官能基修飾した高機能ゴム材料の開発– 極小角X散乱法を用いた光学用ポリエステルフィルムの散乱体構造評価

• BL19LXU（理研物理科学Ⅱ）

極小角度散乱

• BL19LXU（理研物理科学Ⅱ）– パルス強磁場下での時間分割Ｘ線回折測定（2次元反強磁性体SrCu2(BO3)2の強磁場磁性と格子変形、0～40T）

• BL37XU（分光分析）– リゾチームの気液界面におけるコンフィギュレーション変化の直接観察– イオン液体｜水界面における電気二重層の構造とダイナミクスの X線反射率測定による研究

溶液界線射率折– イオン液体｜水界面における電気二重層の構造とダイナミクスの X線反射率測定による研究– 水面上単分子膜用迅速GIXD測定システムの開発– 液／液界面における自発的多重膜形成の直接証明と精密構造解析– Depth-resolved in-situ X-ray absorption spectroscopy measurements of Nd2NiO4 epitaxial thin films（深さ分解XAFS）

• BL39XU（磁性材料）

溶液界面Ｘ線反射率・回折

– LuFe2O4におけるFe2+とFe3+の電子励起干渉効果の解明– 高温超伝導銅酸化物の非局所遷移の検証とそのRXES構造の起源の解明– 分子性巨大磁気抵抗効果と共鳴X線発光分光測定

• BL46XU（産業利用Ⅲ）ピクセル検出器の測定面積大型化の技術検討（マルチモジル型PILATUS 2M）

共鳴Ｘ線発光分光、円筒面集光方式分光器


– ピクセル検出器の測定面積大型化の技術検討（マルチモジュール型PILATUS-2M）– 高強度溶接金属開発のための溶接凝固中δ鉄相生成挙動のその場観察– クリーンミグ溶接条件でのステンレス鋼溶接部相変態挙動のその場観察

25

溶接凝固過程の時分割観察（阪大接合研）

大面積PILATUS‐2M大面積PILATUS 2M

Number of modules 3 x 8 = 24

PILATUS‐2M Sensor Silicon diode array (320 μm)Pixel size 172 x 172 μm2

Format 1475 x 1679 = 2,476,525 pixelsArea 254 x 289 mm2Area 254 x 289 mm2

Inter-module gap X:7, Y:17 pixels, 8.0% of total areaDynamic range 20 bit (1:1,046,576)Counting rate > 2 x 106 X-rays/s per pixelQuantum efficiency 8 keV:99%, 15 keV:55%Readout time 3.6 msFraming rate 30 HzPoint-spread function 1 pixelData format 32 bit TIFF, 9.45 MBExternal trigger 5V TTLSoftware interface Socket connectionCooling Water-cooledgPower consumption 200 WDimension 388 x 410 x 408 mmWeight 50 kg


タンパク質結晶構造解析用PILATUS 6M@SLSタンパク質結晶構造解析用PILATUS‐6M@SLS

PILATUS‐6M Number of modules 5 x 12 = 60Sensor Silicon diode array (320 μm)Pixel size 172 x 172 μm2

Format 2463 x 2527 = 6,224,001 pixelsArea 431 x 448 mm2

Inter-module gap X:7, Y:17 pixels, 8.4% of total areaDynamic range 20 bit (1:1,046,576)Counting rate > 2 x 106 X-rays/s per pixelCounting rate > 2 x 10 X rays/s per pixelQuantum efficiency 8 keV:99%, 15 keV:55%Readout time 3.6 msFraming rate 12 HzP i t d f ti 1 i lPoint-spread function 1 pixelData format 32 bit TIFF, 23.7 MBExternal trigger 5V TTLSoftware interface Socket connectionCooling Water-cooledPower consumption 350 WDimension 574 x 580 x 402 mmWeight 95 kg


g g

CdTeピクセル検出器用ASIC開発

D t t

Photon (E)

RpRs2 Lower Threshold

Upper Threshold

Offset

Vbias

Detector

Q(E)

Vaout1 Vaout2

Cp Cs1 Cs2

Vdout3

Offset

Pre‐Amp Shaper Comparator Counter

aout2

Ccal

Vdout3

TPアナログ部

開発担当者ギ

開発担当者高輝度光科学研究センター制御・情報部門

広野等子、豊川秀訓宇宙航空研究開発機構

高電荷量（高エネルギーＸ線）特性ウインドウ型コンパレーター


宇宙航空研究開発機構池田博一、佐藤悟朗

28

まとめと展望

• PILATUS 100K(320μm)• PILATUS‐100K(320μm)– 標準型、時分割Ｘ線回折、反射率計、深さ分解XAFS等で実用中– 6keV ～ 30keV領域での利用が主 ☞ 名古屋SRでの利用に最適

• PILATUS‐100K‐450μmPILATUS 100K 450μm– 高感度型特別仕様、BL04B2の高エネルギーＸ線回折、BL28B2の白色Ｘ線回折（閾値ス

キャンによるカラーイメージング法を開発中）

• PILATUS‐2M– 6モジュールによる1/4面積で稼働中（BL46XU他）– H21中に残りモジュールを追加しフルスペックの完成予定

• PILATUS‐6M– SLSのタンパクビームラインで稼働中– Spring‐8への導入は今のところ予定なし

• PILATUS‐XFS秒読出率ピクイズを開発中– μ秒読み出し、フレーム率10,000fps、ピクセルサイズ75μmを開発中

• Mythen(50μmピッチ×1280型1次元センサー)– BL19B2で試験済み、運用環境を整備中d ピクセル検出器• CdTeピクセル検出器– 30～100keVの高エネルギー領域をターゲット– ウインドウコンパレーター型回路を開発中

H21年度にピクセルサイズ75 m ピクセル数16×16のプロトタイプを製作


– H21年度にピクセルサイズ75μm、ピクセル数16×16のプロトタイプを製作– H22年度、大規模化？、微小ピクセル化？

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リファレンス• 主な参考論文• 主な参考論文

– Methodological Study of a Single Photon Counting Pixel Detector at SPring‐8, H. Toyokawa, M. Suzuki, Ch. Bronnimann, E.F. Eikenberry, B. Henrich, G. Hulsen, P. Kraft, AIP conference proceedings, Volume 879 (SRI2006), 1141‐1144, (2007)

– The PILATUS 1M detector Ch Broennimann E F Eikenberry BThe PILATUS 1M detector, Ch. Broennimann, E.F. Eikenberry, B. Henrich, R. Horisberger, G. Huelsen, E. Pohl, B. Schmitt, C. Schulze‐Briese, M. Suzuki, T. Tomizaki, H. Toyokawa, A. Wagner, J. Synchrotron Rad (2006) 13 120 130Synchrotron Rad. (2006). 13, 120‐130

• WEB情報– http://detector spring8 or jp/pixel/http://detector.spring8.or.jp/pixel/– http://pilatus.web.psi.ch/– http://www.dectris.com/

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SPring 8でのでのピクセルクセル検出器検出器のの …detector.spring8.or.jp/pixel/pilatus_nagoya.pdfSPring‐8でのでのピクセルクセル検出器検出器のの