Semiconductores y Fuentes

7/23/2019 Semiconductores y Fuentes

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DISPOSITIVOSSEMICONDUCTORES:-SEMICONDUCTORES

-SEMICONDUCTORESINTRNSECOS

-SEMICONDUCTORES

EXTRNSECOS

-TIPO N-TIPO P

-JUNTURA PN DIODO

-EL DIODO IDEAL

-DIODO REAL 1

UNIDAD N 1:


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SEMICONDUCTORES:

2


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SEMICONDUCTORES:

3

Semiconductor Intrnseco:

-Silicio-Germanio


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4

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS:

Semiconductor tipo N:Impurezas: tomos donoresEj : Antimonio

Semiconductor tipo P:Impurezas: tomos aceptores.Ej Galio, Indio, etc:

ara aumentar la concentraci!nde portadores, se realiza el proceso de"#A"# o $#%&A'I%A$I(% con I')*E+AS

El tipo de impurezapredominante, determina el tipo de portadormaoritario, por ende, el tipo de semiconductor.


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&I# %, dopado con (S#

IPO P, dopado con Boro


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JUNTURAS PN:

rontera entre zona tipo % tipo , /ormada en el mismo cristal.Se produce di/usi!n de portadores de una zona a otra, 0asta lorarel euilirio, enerando una zona de aotamiento o "ESE*$I(%.a di/erencia de potencial electrosttico creado, se denominapotencial de arrera de la juntura.El 5ujo de portadores minoritarios 6launas de rei!n % a electrones de a %7, se compensan mutuamente , en condici!n de

euilirio.


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#A*I+A$I(% "I*E$&A:

Se reducela alturade la arrera de potencial

ermite ue maor cantidad de portadores maoritarios crucen la

arrera por di/usi!n.

"espreciando caidas en los contactos e9ternos, la reducci!n en la

arrera es iuala la tensi!n e9terna aplicada.

eueas ;ariaciones en la arrera eneran randes ;ariaciones en el

5ujo de portadores 6relaci!n e9ponencial7


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#A*I+A$I(% I%


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*)&)*A "E A ?)%&)*A %:

Se produce con ;alores intensos de tensi!n de polarizaci!n in;ersa.

Se producen pares e- 0uecos por ruptura de enlaces co;alentes.

&ensi!n de ruptura:


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DIODO:

DiodoIde!":

$ortocircuito con $ircuito Aierto


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Diodos reales:

"onde:


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Diodos reales:

eueas;ariaciones de


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13


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14


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1

E#ECTOS DE $A TEMPERATURA SO%RE $ACURVA DE$ DIODO:


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Diodos reales: recta decara DC


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RESISTENCIA DC:En un punto de polarizaci!n C,se puede calcular la resistenciade "$ eui;alente del "I#"#:

el punto de euilirio o reposo D!"iescence#

A *ESIS&E%$IA "$ del diodo, es di/erentepara cada punto de #A*I+A$I(%


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RESISTENCIA & RECTA DECAR'A AC:$oncepto desuperposici!n:


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RECTA DE CAR'A EN AC:


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2>

RESISTENCIA AC:Saemos ue:


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21

RESISTENCIA AC:Saemos ue:

ara e9cursiones peueas dela seal

si

'odelo para peuea seal:


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Si la e9cursi!n de la seal de A$ es comparale al ni;el de "$


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23

as /ormas de onda de


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24

Selecci!n de diodos @ 0ojas de datos:


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2


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2ara calcular la potencia ue disipar eldiodo:


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Circ"itos con diodosideales:


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Circ"itos con diodosideales:


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2H

#UENTE DE A$IMENTACI(N RE'U$ADA: RECTI#ICADORESAp"ic!ci)n:


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3>

RECTI#ICADORES:


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31

*ecticador de 'edia #nda:


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32



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$olta%e in&erso '()i'o:*$'a)


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*ecticador uente @ #nda completa:

V m a x s e n ( w t )

D 1

R L

O U T

D 2

D 3

D 4

I N


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*ecticador uente @ #nda completa:


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3

*ecticador #nda completa:

D 1

R l

I N O U T

0

D 2

L p

L s 1

L s 2

0


V m a x s e n ( w t + 1 8 0 )


6con trans/ormador de punto medio7


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*ecticador #nda completa: D 1

R l

I N O U T

0

D 2

L p

L s 1

L s 2

0


V m a x s e n ( w t + 1 8 0 )


$olta%e in&erso'()i'o: *+$'a)


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3

*ecticador &*IJSI$# de media onda:


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3H


a tensi!n aplicada a la caraes:


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K


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Recti*ic!dor TRI#+SICO Puente:

-a tensi.n aplicada a la cara es $-nea


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*ecticador &*IJSI$# uente:

"onde Q esel des/asaje de

la tens!n delMnea respectode la de /ase encone9i!n R


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Ejercicios ejemplos:G, "onaldT OE#


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Ejercicios ejemplos:

&A", *oertT %ASESVR, ouisT DEE$*(%I$A:&E#*WA "E $I*$)IS R "IS#SI&I


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