Carrera: Ingeniería de sistemas e informática.Alumna: Angie Stefany Ramírez Guivar.Tema: Semiconductores

Semiconductores intrínsecos

Intrínseco indica un material semiconductor extremadamente puro contiene una cantidad insignificante de átomosde impurezas. En él se cumple:

n =·p = n!

n: nº eléctrones/m3p: nº eléctrones/m3n,: densidad intrínsecade portadores

A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electronesa través de sus bandas de energía Idealmente, a T=0ºK,el semiconductor es un aislanteporque todos lose- están formando enlaces.

Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar libre un e-para moverse en la estructura cristalina.

El hecho de liberarse un e-deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor en

contraemos el electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)

CONDUNCIÓN INTRISECA

p = n = ni --> Donde p y n son las concentraciones de huecos y electrones respectivamente, y ni es la concentración de portadores intrínsecos.

Este fenómeno de la conducción asociada a la formación de pares en el semiconductor se denomina conducción intrínseca. Se cumple que

SEMICONDUCTOR DOPADOSi aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila

intentará atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito.

Sentido del movimiento de un electrón y un hueco en el silicioAhora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades: 1).Aplicar una tensión de valor superior.2).Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior…

PROCESO S DE DOPADOS

La impurificación de cristales es de total necesidad en Electrónica. En muchos casos el dopaje se realiza a la vez del crecimiento (del lingote o crecimiento epitaxial) impurificación uniforme de la oblea (aunque no del lingote). Además, en el curso de la fabricación de dispositivos es necesario introducir nuevas impurezas para modificar las propiedades electrónicas.

El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.

• Semiconductor tipo P • Semiconductor tipo N

Difusión

Hornos de difusión:El primer horno de difusión fue patentado en 1957:

Implantación IónicaLa implantación iónica es un método de impurificación tanto de Silicio como de GasS . • Es el método dominante de dopaje utilizado hoy día a pesar de sus

desventajas. • Es un proceso más costoso y complejo que la difusión y una alternativa a

la misma