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UMNG. Santiago Rondón Cárdenas. Practica 1 Resumen En la presente práctica observaremos el comportamiento de un transistor como amplificador, en las diferentes configuraciones. Abstract In the present practice we will see the transistor’s behavior as an amplifier, in the different configurations Palabras Clave Transistor NPN Emisor común I. OBJETIVO Conocer, diseñar e implementar los circuitos de polarización necesarios para el trabajo del transistor en las diferentes zonas de corte, saturación y activa. II. MARCO TEÓRICO Esta práctica está orientada a conocer la configuración de emisor común, con auto polarización, y cómo puede afectar a esta el uso de elementos como condensadores a la entrada y salida de la señal. Para el desarrollo es este laboratorio utilice los apuntes tomados en clase de teoría para calcular el Qdc en la zona activa y con las corrientes adecuadas según la hoja de datos del transistor utilizado. Datos Suministrados: V CC =20 V Qdc=0,5 V E =2 V I E =2 mA Cálculos: R E = 2 v 2 mA R E =1 V CE =20 V 2 mA ( 1 ) V CE =18 V V C =10 V+ 2 V V C =12 V R C = 20 V12 V 2 mA R C =4 V B =2,7 V I B = 2 mA 260 I B =7,69 μA R B = 20 V2,7 V 7,69μA Practica 1 Rondón Cárdenas, Daniel Santiago. Universidad Militar Nueva Granada 1

Practica 1 - Emisor Comun

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Primera practica de laboratorio de Electrónica Universidad Militar Nueva Granada

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1UMNG. Santiago Rondn Crdenas. Practica 1

[footnoteRef:1]Resumen [1: ]

Practica 1

Rondn Crdenas, Daniel Santiago.Universidad Militar Nueva Granada

En la presente prctica observaremos el comportamiento de un transistor como amplificador, en las diferentes configuraciones.AbstractIn the present practice we will see the transistors behavior as an amplifier, in the different configurations

Palabras Clave Transistor NPN Emisor comn ObjetivoConocer, disear e implementar los circuitos de polarizacin necesarios para el trabajo del transistor en las diferentes zonas de corte, saturacin y activa.Marco TericoEsta prctica est orientada a conocer la configuracin de emisor comn, con auto polarizacin, y cmo puede afectar a esta el uso de elementos como condensadores a la entrada y salida de la seal.

Para el desarrollo es este laboratorio utilice los apuntes tomados en clase de teora para calcular el Qdc en la zona activa y con las corrientes adecuadas segn la hoja de datos del transistor utilizado.

Datos Suministrados:

Clculos:

Materiales Empleados

ProtoboardResistencias WTransistor NPN 2N2222Capcitores electrolticos 50VMultimetroFuente de voltaje DCCables de fuenteGenerador de seales ACCable de generadorOsiloscopioSondasPotenciometro linealJustificacin de MaterialesProtoboard: se usa debido a que es fcil y practica a la hora de realizar montajes como los de esta prcticaResistencias W: Es un elemento asequible, y de fcil reposicinTransistor 2N2222: es un transistor NPN de baja potencia de prctico usoCapacitores Electrolticos: Son fcilmente manipulables con corriente alta y baja frecuencia. Simulacin:

Simulacin del montaje.

Medicin de voltajes

Voltaje base-emisor:

Figura 3: simulacin en proteus 8

Voltaje colector base

Figura 4: simulacin en proteus 8

Voltaje colector-emisor

Figura 5: simulacin en proteus 8

Voltaje resistencia de emisor

Figura 6: simulacin en proteus 8

Voltaje resistencia colector

Figura 7: simulacin en proteus 8

Voltaje resistencia base

Figura 8: simulacin en proteus 8

Medicin de Corriente

Corriente colector

Figura 9: simulacin en proteus 8

Corriente emisor

Figura 10: simulacin en proteus 8

Corriente base

Figura 11: simulacin en proteus 8

Montaje segundo circuito

Montaje cuarto circuito

Referencias Electrnica: teora de circuitos, Robert L. Boylestad Google serch Apuntes clase de teoria