Electronica Analogica i

INGENIERA ELECTRNICA

SUBSECRETARIA DE EDUCACION SUPERIORDIRECCION GENERAL DE EDUCACION SUPERIOR TECNOLOGICAINSTITUTO TECNOLOGICO DE MAZATLAN

INGENIERIA ELECTRONICA

MANUAL DE PRCTICAS DE LA MATERIA

ELECTRNICA ANALGICA ICLAVE DE LA ASIGNATURA: ECM-0412

PRCTICA # 1 APLICACIONES DE DIODOS

OBJETIVODesarrollar un conocimiento prctico del diodo dentro de una variedad de configuraciones mediante el uso de modelos apropiados para el rea de aplicacin. Como son los circuitos Rectificadores, Cambiadores de Nivel, Dobladores, Reguladores, Recortadores, Etc. As como la simulacin de dichos circuitos para hacer una comparativa con la prctica.

INTRODUCCINUna vez que se comprende el comportamiento bsico del dispositivo semiconductor, se puede determinar su funcin y respuesta dentro de una variedad infinita de configuraciones, el rango de aplicaciones no tiene fin; no obstante, las caractersticas y los modelos permanecen constantes

MATERIAL Y EQUIPOEQUIPO:

1 Osciloscopio De Doble Canal1 Fuente de DC1 Generador De Seal1 Multmetro Digital1 Puntas Para Osciloscopio1 Software De Simulacin Electrnica (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus)

MATERIAL:

04 Resistencia03 Capacitores10 Diodos Rectificadores01 Protoboard01 Transformador Reductor 110/24v Con Derivacin Central

PROCEDIMIENTO

1.- Elabore el siguiente circuito rectificador de media onda

2.- Antes de alimentarlo, obtenga la seal Vo tericamente para una Seal de Entrada de AC. Y dibjela en su cuaderno3.- Alimente el circuito con un Voltaje de AC de 12V y una frecuencia de 60Hz, y compare esta seal con la obtenida en el paso 24.- Modifique el valor de la resistencia R1, una dcada arriba del valor propuesto y despus una dcada abajo del valor de la misma, y observe la seal de Vo. Mencione que es lo que sucede.5.- Obtenga tericamente el Voltaje RMS y el Voltaje Promedio y antelo.

6.- Elabore los siguientes circuitos rectificadores de onda completa

7.- Repita los pasos del 2 al 4 para estos circuitos

8.- Elabore el siguiente circuito Cambiador de Nivel o Sujetador de Seal

9.- Alimente el circuito, con una seal cuadrada, a 5V la frecuencia de la seal usted, la determina10.- Obtenga la grfica de Vo de este circuito tomada del punto de prueba R1(1) y comprela prcticamente11.- Cambie el valor del capacitor a 1uF/50V y compare la grfica con este nuevo valor

12.- Elabore el siguiente circuito doblador de voltaje

13.- Antes de alimentarlo obtenga tericamente la seal de salida tomada del punto de prueba C2(+) y dibjela en su cuarderno14.- Alimente el circuito con una seal senoidal de 12V a 60Hz 15.- Obtenga la grfica de Vo de este circuito y comprela prcticamente16.- Elabore la simulacin electrnica de los circuitos anteriores indicando los puntos de prueba pedidos (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus) y entregarla en digital.

CONCLUSIONES

REFERENCIAS

Boylestad-Nashelsky. Electrnica, teora de circuitos. Ed. Prentice-Hall. Paul Malvino, Principios de electrnica, Ed. Mc Graw Hill Schilling & Belove, Circuitos Electrnicos, Ed. Mc Graw Hill

PRCTICA # 2 FUENTE REGULADA DE VOLTAJE

OBJETIVOElaborar una fuente de voltaje simtrica regulada y variable de 0 - 30 Volts a 2 Amperes, y teniendo la opcin de modificacin de dicha fuente.

INTRODUCCINSe trata de una fuente simtrica regulada variable, que puede proporcionar hasta 15VDC por seccin (-15 y +15), o hasta 30VDC en conjunto, para un consumo de hasta 2A, pero con algunos cambios puede modificarse para proporcionar hasta 5A** (o incluso ms). Los transistores Q1 y Q2 deben se montados en disipadores trmicos, al igual que los integrados LM317 y LM337T que utilizan encapsulado TO-220.Aqu la aplicacin de los diodos es como rectificadores debido al lugar que ocupan en el circuito de la fuente de voltaje.

MATERIAL Y EQUIPOMaterial:

T1 - Transformador con primario adecuado para la red elctrica (110 o 220V) y secundario de 15+15 para 2A. **IC1 - Circuito Integrado LM317 (ECG956)IC2 - Circuito Integrado LM337T (ECG957)Q1 - Transistor TIP3055Q2 - Transistor TIP2955Q3 - Transistor BC548 o similarQ4 - Transistor BC558 o similarD1 al D4 - Diodos 1N5804 o similares. **D5 y D6 - LEDs C1 y C2 - Condensadores electrolticos 4700uF 35V **C3 al C6 - Condensadores de 0.1uF (100nF) 50V R1 y R2 - Resistencias de 1000 ohms 1/2WR3 y R4 - Resistencias de 220 ohms 1/2WR5 y R6 - Resistencias de 0.5 ohm 5W **R7 y R8 - Resistencias de 470 Kohms 1/2WP1 y P2 - Potencimetros de 5000 ohms** Modificaciones para 5A:T1 - Transformador con primario adecuado para la red elctrica (110 o 220V) y secundario de 15+15 para 5A.D1 al D4 - Diodos 1N5809 o similares.C1 y C2 - Condensadores electrolticos 10000uF 35V R5 y R6 - Resistencias de 0.22 ohm 10W

EQUIPO:

1 Osciloscopio De Doble Canal1 Multmetro Digital1 Puntas Para Osciloscopio BNC-Caiman1 Protoboard1 Software De Simulacin Electrnica (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus)

PROCEDIMIENTO

1.- Elabore la simulacin electrnica del siguiente circuito regulador de voltaje (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus) y entregarla en digital.

2.- Monte el siguiente circuito en la tablilla de prcticas (protoboard)3.- Una vez que este en la tablilla, haga las mediciones en los puntos sealados por las flechas, necesarias para su correcto funcionamiento, 4.- Compare las mediciones prcticas con las mediciones simuladas en su software.

CONCLUSIONES

REFERENCIAS

Boylestad-Nashelsky. Electrnica, teora de circuitos. Ed. Prentice-Hall. Paul Malvino, Principios de electrnica, Ed. Mc Graw Hill Schilling & Belove, Circuitos Electrnicos, Ed. Mc Graw Hill http://www.comunidadelectronicos.com/proyectos/fuente4.htm

PRCTICA # 3 LIMITE DE OPERACIN Y PRUEBA DEL BJT

OBJETIVOGraficar los limites de operacin para el transistor y hacer prueba de buen estado del transistor.

INTRODUCCINSe necesita tener conocimiento de los lmites de la regin de operacin o activa para el diseo y para el punto de operacin de nuestro transistor adems de tener en cuenta de que nuestro transistor, debe estar en buen estado.

MATERIAL Y EQUIPOMaterial

1 Transistor BJT1 Escalmetro1 Manual de reemplazo ECG o NTE

Equipo

1 Multmetro (hmetro, prueba de diodo)

PROCEDIMIENTO

1.- Del manual de reemplazo obtenga la siguiente informacin:

Qu tipo de transistor es?De qu material est elaborado?Cul es su aplicacin?Cul es su VCE mx.?Cul es su Ic mx.?Cul es su Pc mx.?Cul es su P o hfe?Cules son la configuracin de sus pines, tambin llamado pinouts?

2.- Con los datos obtenidos en el paso 1, elabore la grfica de lmite de operacin del transistor, en hoja milimtrica 3.- Elabore el procedimiento para la prueba de transistores

Utilice multmetro.

Qu valor obtuvo en la unin B E?Qu valor obtuvo en la unin B C?Qu valor obtuvo en la prueba de C E?

CONCLUSIONES

REFERENCIAS


PRCTICA # 4 POLARIZACION DEL TRANSISTOR BJT

OBJETIVOAnalizar en Corriente Directa las diferentes polarizaciones del BJT para que trabaje como un amplificador.

INTRODUCCINEl termino polarizacin comprende todo lo relacionado con la aplicacin de voltajes de DC, para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistor BJT, la corriente en DC y el voltaje resultante establecen el Punto de Operacin, sobre las caractersticas que define la regin que ser empleada para la amplificacin de la seal aplicada.

MATERIAL Y EQUIPOMaterial Resistencia (470k, 2.7k, 1k, 62k, 9.1k) Transistor BJT BC548 Tablilla de prcticas Protoboard

Equipo

1 Multmetro Digital1 Fuente de Voltaje de DC1 Software de Simulacin Electrnica (circuit maker, pspice, orcad, proteus)

PROCEDIMIENTO

1.- Elabore el siguiente circuito de polarizacin fija en su tablilla de prctica

2.- Obtenga los valores tericos siguientes IB, IC, IE, VCE, VB, VC 3.- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos4.- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?

5.- Elabore el siguiente circuito de polarizacin estabilizado en emisor en su tablilla de prctica

6.- Obtenga los valores tericos siguientes IB, IC, IE, VB, VE, VC, VCE7.- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos8.- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?

9.- Elabore el siguiente circuito de polarizacin por divisor de voltaje en su tablilla de prctica

10.- Obtenga los valores tericos siguientes IB, IC, IE, VB, VE, VC, VCE11.- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos12.- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?13.- Elabore la simulacin electrnica de los circuitos anteriores indicando los puntos de prueba pedidos (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus) y entregarla en digital.

CONCLUSIONES

REFERENCIAS


PRCTICA # 5 LIMITE DE OPERACIN Y PRUEBA DEL JFET

OBJETIVOGraficar los limites de operacin para el transistor y hacer prueba de buen estado del transistor.

INTRODUCCINSe necesita tener conocimiento de los lmites de la regin de operacin o activa para el diseo y para el punto de operacin de nuestro transistor adems de tener en cuenta de que nuestro transistor, debe estar en buen estado.

MATERIAL Y EQUIPOMaterial

1 Transistor JFET1 Escalmetro1 Manual de reemplazo ECG o NTE

Equipo

1 Multmetro (hmetro, prueba de diodo)

PROCEDIMIENTO

1.- Del manual de reemplazo obtenga la siguiente informacin:

Qu tipo de transistor es?De qu material est elaborado?Cul es su aplicacin?Cul es su IDSS?Cul es su VP?Cul es su PD mx.?Cules son la configuracin de sus pines, tambin llamado pinouts?

2.- Con los datos obtenidos en el paso 1, elabore la grfica de transferencia y de drenaje, en hoja milimtrica 3.- Elabore el procedimiento para la prueba de transistores:

Utilice multmetro.

Qu valor obtuvo en la unin G-S?Qu valor obtuvo en la unin D-S?Qu valor obtuvo en la prueba de G-D?

4.- Obtenga prcticamente los valores de IDSS y VP. Para ello tiene que armar su circuito como se explico en la clase.

CONCLUSIONES

REFERENCIAS


PRCTICA # 6 POLARIZACION DEL TRANSISTOR JFET

OBJETIVOAnalizar en Corriente Directa las diferentes polarizaciones del FET para que trabaje en la regin de corriente constante.

INTRODUCCINEl termino polarizacin comprende todo lo relacionado con la aplicacin de voltajes de DC, para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistor FET, la corriente en DC y el voltaje resultante establecen el Punto de Operacin, sobre las caractersticas que define la regin que ser empleada para la amplificacin de la seal aplicada.

MATERIAL Y EQUIPOMaterial Resistencia (1M, 1k, 1.5k, 910k, 110k, 2.2k, 1.1k) Transistor JFET 2N4091,2N5103 Tablilla de prcticas Protoboard

Equipo

1 Multmetro Digital1 Software de Simulacin Electrnica (circuit maker, pspice, orcad, proteus)

1 Fuente de Voltaje de DC

PROCEDIMIENTO

1.- Elabore el siguiente circuito de polarizacin fija en su tablilla de prctica

2.- Obtenga los valores tericos siguientes IG, ID, VGS, VD, VG, VDS 3.- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos4.- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?

5.- Elabore el siguiente circuito de polarizacin por autopolarizacin en su tablilla de prctica

6.- Obtenga los valores tericos siguientes IG, ID, VGS, VD, VG, VDS, VS 7.- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos8.- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?

9.- Elabore el siguiente circuito de polarizacin por divisor de voltaje en su tablilla de prctica

10.- Obtenga los valores tericos siguientes IG, ID, VGS, VD, VG, VDS, VS, VR1, VR211.- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos12.- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?13.- Elabore la simulacin electrnica de los circuitos anteriores indicando los puntos de prueba pedidos (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus) y entregarla en digital.

CONCLUSIONES

REFERENCIAS


PRCTICA # 7 AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON BJT

OBJETIVOAnalizar el amplificador de Voltaje con BJT, tanto en DC y APS (Anlisis a Pequea Seal) de una etapa. Y hacer la comparativa con la prctica.

INTRODUCCINEn las prcticas anteriores se analizaron las diferentes polarizaciones de los BJT Y JFET, ahora se comenzara a analizar la respuesta de ac a pequea seal del amplificador a BJT, mediante la utilizacin de modelos (re e Hbrido)que se utilizan con mayor frecuencia, una de las consideraciones en el anlisis senoidal es la magnitud de la seal de entrada, ya que esta determinar la tcnica que se deber emplear ya sea de pequea seal o gran seal.

MATERIAL Y EQUIPOMaterial 2 Transistores BJT (2N2222) 5 Resistencias (68k, 12k, 2.2k, 1.2k, 0.1k) 2 Capacitores 5uF/16V 1 Capacitor 10uF/16V

Equipo1 Multmetro Digital1 Software de Simulacin Electrnica (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus)1 Fuente de Voltaje de DC1 Generador de Seal1 Osciloscopio de doble trazo3 Puntas para osciloscopio BNC-Caiman

PROCEDIMIENTO

1.- Elabore el siguiente circuito amplificador de una etapa a BJT en su tablilla de prctica

NPNQ112k2.2K1.2K10V+V68kV15uF+5uF+10uF+-50m/50mVV280kHzVo

2.- Calcule la Av, Ai, Zi y Zo3.- Mida con el osciloscopio Av y antela.4.- Dibuje la seal de entrada y la seal de salida5.- Armar el siguiente circuito amplificador

NPNQ112k2.2K1.2K10VV1+V68k5uF+-50m/50mVV280kHz5uF+Vo

6.- Calcular Av, Ai, Zi y Zo.7.- Mida con el osciloscopio Av y antela.8.- Dibuje la seal de entrada y la seal de salida9.- Elabore la simulacin electrnica de los circuitos anteriores indicando los puntos de prueba pedidos (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus) y entregarla en digital.

CONCLUSIONES

REFERENCIAS


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