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高価格の要因
解決策
ZnSについて
ミストCVD法について
実験目標
利点 :低消費電力 長寿命
問題点:高価格
LED(Light Emitting Diode)
LEDについて
研究背景
解決策
ZnSについて
ミストCVD法について
実験目標
LEDについて
高価格の要因
現在、LEDに用いられているIn GaN(窒化インジウムガリウム)
作製方法が有機金属化学気相成長法↓
真空を用いるため装置が複雑で大規模
要因①(材料)
が希少金属
要因②(作製方法)
研究背景
ZnSについて
ミストCVD法について
実験目標
LEDについて
高価格の要因
解決策
希少金属の代わりにZnS(硫化亜鉛)
…資源が多く安価
大気圧で作製可能なミストCVD法(ミスト化学気相成長法)
解決策①(材料)
解決策②(作製方法)
研究背景
研究背景
解決策
ミストCVD法について
実験目標
LEDについて
高価格の要因
ZnSについて
ZnS(硫化亜鉛)・資源が豊富で安価・励起子結合エネルギーが大きい
: 37meV(室温のエネルギー以上)
・バンドギャップが広い : 3.54eV(閃亜鉛鉱構造) 3.8eV(ウルツ鉱構造)
・2種類の結晶構造を持つ
閃亜鉛鉱構造 ウルツ鉱構造
SS
S
S
S
S
Zn
S
SZn
S
SSS
Zn
SS
Zn
S
S
S S
S S
Zn Zn
SS
S
Zn
S
ZnS
Zn
S
ZnS
Zn
S
S
Zn
S
S S
S
Zn Zn
解決策
ZnSについて
実験目標
LEDについて
高価格の要因
ミストCVD法について
ミストCVD法(ミスト化学気相成長法)
電気炉(ヒーター)
石英炉ファインチャネル方式
基板
超音波振動子
溶液ボトル
ミスト化 キャリアガス
排気
原料溶液
研究背景
解決策
ZnSについて
ミストCVD法について
実験目標
LEDについて
高価格の要因
ミストCVD法で作製したZnSを用いて
低価格LEDを実現する!
ミストCVD法で単結晶のZnSを作る今回の目標
最終目標
→最適条件を調査する。
研究背景