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【研究部】
研 究 課 題 名 SQUID顕微鏡を用いた超伝導磁束量子の直接観察
研究代表者名
日本原子力研究開発機構 先端基礎研究センター 岡安悟
研究分担者名 電気通信大学 情報理工学研究科 小久保伸人
１．はじめに SQUID顕微鏡を用いた超伝導体試料の磁束量子直接観察では試料表面の局所的磁束密度を定量的に精密測
定できるという利点があり、半整数磁束量子や微小超伝導体試料中の反渦磁束量子や巨大磁束量子といっ
た理論的に予言されている現象の検出に適している。このSQUID顕微鏡を用いて、幾何学的に閉じこめら
れた磁束量子状態や傾斜組成超伝導体での磁束量子状態を観測し、新たな磁束量子状態の検出を目指した
研究を行っている。
２．研究経過 試料サイズが超伝導コヒーレンス長ξや磁場侵入長λ程度の大きさを持つ超伝導体中においては遮蔽電流
が試料形状の幾何学的形状に沿って試料外周を流れる。また試料内部の磁束量子には互いに斥力相互作用
が働くため、磁束量子は試料内部に閉じ込められた状態となる。この系は閉じ込めポテンシャル中で相互
作用する２次元粒子として扱われ、幾何学的に閉じ込められた新規な量子渦状態が期待される。
量子渦状態を超伝導体で調べる利点として以下の５点があげられる。
１．量子渦の数を印加磁場で制御できる
２．量子渦の中心に磁束を伴うため磁気的にイメージが可能
３．印加電流で駆動制御できる
４．量子渦の運動を電圧で検出できる
４．固体素子であるため様々な形状への加工、再現性が容易
５．相互作用が及ぶ距離を膜厚で制御できる
欠点としては、超伝導物質に含まれる不純物・欠陥などの影響が問題になるため、適切な材料選びが必要
なることである。単結晶試料では結晶軸や異方性の問題があるため、我々は均質に乱れた系・等方性を有
するアモルファス超伝導物質を選んだ。具体的な物質としてピン止めの少ないアモルファス MoxGe1-x薄膜を
使用した。試料の膜厚 dを～0.2μm程度と磁場侵入長 λ（λ(0)～0.58μm） よりも短くすると試料の２
次元性が強まり、有効磁場侵入長Λ(0)は
とバルク試料のものより長くなる。サイズが 20 ～ 100 μm の試料では 6 ～ 30Λとなり、形状依存性が
より顕著に見えるようになる。また薄膜化することで磁束量子間の相互作用が、exp(-r/λ) （ r > λ）
のショートレンジから 1/r（ r > Λ）のロングレンジになることも利点のひとつである。
３．研究成果 試料は Si基板上に堆積させたアモルファス
MoxGe1-x薄膜（ｘ＝0.78、d=0.2μm）にフォトリソグラフィと
エッチングの手法を用いて一辺 80μm の正方形に加工したものを用いた。試料表面には保護膜として SiO2を 0.1μm
かぶせてある。測定は東北大学金属材料研究所低温物質科学実験室に設置の走査型 SQUID 顕
微鏡（SQM-2000、SIIナノテクノロジー）を用いた。
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図は正方形とは整合しない渦度 L=3の場合の磁束量子像である。印加磁場はそれぞれ左が 1.8μT、右が 2.4
μTである。
低磁場で対角に揃う配列、高磁場で二等分線に揃うような配列が得られている。これは同じ L=3
の二つの異なる準安定状態で、試料周囲を流れる遮蔽電流の大きさによってどちらの状態が現れ
るのかが決まるために起こる現象と考えている。 ４．ま と め 平成 25年度は、一辺 80μmのアモルファス
MoxGe1-x薄膜正方超伝導試料を作製し、内部に閉じこめられた
磁束量子配列について外部磁場と渦度および配列の様子を測定した。渦度が L=3 の場合、同じ渦度でも外
部磁場の大きさによってその配列が異なることを明らかにした。
平成 26年度は高磁場までの系統的なデータを測定し、磁束量子の殻構造を明らかにしたい。また傾斜組成
材料については磁束量子の確認だけで終わってしまったので、転移点近傍での詳細な温度変化を測定する
予定である。
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1. 2. Section A 3. Section B
4. Part 2(Section A ) 5. Part 2 6. Part 3
7.Part 1 4 X 8.(0 0 10)
TSFZ Bi-2223
[1] T. Fujii, T. Watanabe, and A. Matsuda, J. Cryst. Growth 223
(2001) 175-180 [2] Bi-2223
, , , 2013 (2013 926 , ) 26pED-8
