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成立時間：1999年1月1日

技術團隊成員經歷:

德州儀器公司, 太空總署推進實驗室,

AT&T貝爾實驗室

核心技術：

分子束磊晶(MBE)技術生產三五族磊晶片

即時監控系統精確控制磊晶層成長(美國專利)

工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA

台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓

商業模式：

三五族半導體MBE磊晶晶片代工製造廠

(砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵磊晶晶片)

公司簡介-基本資料

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三五族半導體產業上中下游介紹

IET, IQE, 全新, 聯亞

•

手機

•

平板

•

穿戴裝置

•有線電視/

衛星通訊

•W

i-Fi

連結

•

無線基地台

•

車用電子/ 防撞雷達

•

太空/

國防

•R

FID

•

醫療

•

智慧型能源系統

•

測試與量測

行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片

•

收發模組

•

驅動IC

磊晶片(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

基板(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

晶圓製程

半導體封裝

Sumitomo, AXTIET, Freiberger

穩懋, 宏捷, 華興光, 光環, 索爾思

IDM:Skyworks, Avago, Qorvo

磊晶片品質: 決定電子元件品質, 效能, 良率

聯鈞

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英特磊生產什麼磊晶片

• 不同顏色代表不同化學成分與不同晶格大小

• 每一層厚度、成份、摻雜濃度須經磊晶結構設計師模擬計算

• 磊晶片品質: 決定電子元件品質, 效能, 良率

磊晶片(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

基板(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

MBE長磊晶機台

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英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示

射頻與微波

高速電子傳輸

光電

應用

手機高頻元

件

汽車防撞雷

達

國防用途

OC768-

40Gbps 網路

OC192-

10Gbps 網路

光纖網路

圖像識別

器件類別

(紅色為量產產

品)

GaAs pHEMT GaAs mHEMT InP HEMT InP HBT

InP HBT InP HEMT GaAs mHEMT

GaAs PIN/APD InP PIN/APD QWIP Diode laser GaSb T2 SLS IR

detector

VCSEL．

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產品應用領域介紹

• 汽車防撞雷達 pHEMT• 光通訊 PIN,APD,VCSEL• 紅外線感測器 GaSb,InSb,InGaAs,QWIP• 5G 手機PA InP-HBT

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汽車防撞雷達原理

資料來源: 網路資訊

汽車防撞雷達將成為安全基本配備 汽車供應鏈切入需３～５年 （若有機會） UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片供應商 英特磊是UMS唯一砷化鎵磊晶片供應商

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汽車防撞雷達原理

UWB (Ultra Wide Band)• 測距• 較無空間多重反射干擾之

問題• 定位能力較佳• 需要較複雜的時序控制

FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave)• 測距• 測速(都普勒效應)• 系統較為單純• 容易被干擾

資料來源: 網路資訊

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光纖傳輸

• 光以3x108m/s速度行進• 傳輸資料速度快• 不受電磁輻射影響• 接收端光接收器,如 PIN/APD• 發射端產品為 VCSEL

資料來源:Online Science

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資料來源:POSTS and TELECOM PRESS

• 光在光纖中傳輸仍會有損耗，必須考慮各種不同波長的光在光纖中的吸收

• 波長850nm 在GaAs材料調變範圍: VCSEL，短距離傳輸• 波長1310nm 在InP材料調變範圍: PIN/APD，長距離傳輸• 波長1550nm 在InP材料調變範圍: PIN/APD，長距離傳輸

光纖吸收光譜

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PIN –Photo Detector基本原理

圖片來源:Fiber-Optics.info

• 光子能量被吸收產生電子 – 電洞對• 光強度越強產生之電子 – 電洞對越多• 電子被電場驅使移動產生電流• 電流大小代表光強度大小• 每一單位光功率產生之電流為: 響應

度Responsivity (單位: 安培/瓦, A/W)

PIN光偵檢器PIN Photo Detector (PIN-PD)

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APD –Photo Detector基本原理

圖片來源:Fiber-Optics.info

• 光子能量被吸收產生電子 – 電洞對• APD有電場控制層形成局部高電場使

電子被電場加速撞擊其他價電子產生連鎖反應製造更多電子 – 電洞對

• 原本一個光子產生一組電子 – 電洞對連鎖反應後可能產生數10或數100組電子 – 電洞產生電流放大

• 電流大小代表光強度大小• 每一單位光功率產生之電流為:

響應度Responsivity (單位: 安培/瓦, A/W)

雪崩式光偵檢器Avlanche Photo Detector (APD)

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850nm VCSEL 用於短距離傳輸: 資料中心, 4K/8K HDMI 傳輸- 資料速度、頻寬、可靠度要求高

940nm VCSEL 用於 3D sensing: Face ID, Lidar- 功率、光點同調性要求高- 磊晶片均勻性影響良率甚鉅

VCSEL 應用領域

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MBE 6” VCSEL 晶片F-P dip mapping

• MBE 6” VCSEL 晶片F-P dip mapping 具絕佳均勻性

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VCSEL 供應鏈

• 英特磊客戶現階段在850nm Data Center應用進度較快• 940nm 3D sensing於中國大陸手機市場應用進度較緩• 積極爭取主流客戶代工訂單

資料來源:報章媒體

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圖片來源:SOFRADIR web site

紅外線偵測器技術

Near Infrared (NIR): 0.75 ~ 1 umShort-wave Infrared (SWIR): 1 ~ 2.7 umMid-wave Infrared (MWIR): 3 ~ 5 umLong-wave Infrared (LWIR): 8 ~ 14 umUltra-long-wave-Infrared (ULWIR): 14 ~ 30 umMercury Cadmium Telluride (MCT) DetectorQuantum Well Infrared Photodetector (QWIP)Indium Gallium Arsenide (InGaAs) DetectorIndium Antimonide (InSb) Detector

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可見光/紅外線影像

可見光 紅外光 紅外光感測器無冷卻

紅外光感測器有冷卻

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不同波長紅外線影像

圖片來源:GHOPTO exhibition material, CIOE Expo., 2017

短波長紅外光可穿透眼鏡看到眼鏡後方之眼睛細部

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GaSb 紅外線影像

高解析度紅外線攝影

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5G 手機PA

資料來源: 國泰證券報告

• 5G射頻模組III-V解決方案• PA, LNA 效率性能較好• 元件效能

InP HBT > GaAs mHEMT > GaAs pHEMT

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4G手機PA GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz

5G手機PA 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz

- 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘

- 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙

- 頻率上符合需求之選項

GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構)

- InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小，

只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。

英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢

- n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍

- 精準控制磊晶層成分厚度

5G手機PA 磊晶材料演進

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GaAs HBT/pHEMT and InP HBT

ICIBIE

磊晶層(總厚度約1um)

GaAs substrate單晶基板

DrainGate

Source

GaAs pHEMT

磊晶層(每層約1um)

C

B

E

GaAs substrate單晶基板

GaAs HBT• Up to 10 G Hz• Suitable for PA

• Up to 100 G Hz• Suitable for SW and LNA

• HBT製程簡單良率高適合做PA• pHEMT製程較複雜良率較難控制

不適合做PA• 5G手機PA用InP HBT有技術優勢

C

B

E

InP substrate單晶基板

InP HBT

• Up to 900 G Hz• Suitable for PA

磊晶層(每層約1um)

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主要產品別銷貨收入

2014 2015 2016 2017 2018 2019Q1

比率 比率 比率 比率 比率 比率

砷化鎵(GaAs)磊晶片 46.7% 51.8% 48.4% 53.9% 55.0% 38.8%

磷化銦(InP)磊晶片 31.2% 24.8% 35.0% 31.5% 25.2% 44.3%

銻化鎵(GaSb)及勞務收

入 21.5% 22.8% 15.6% 13.2% 19.2% 16.8%

其他 0.6% 0.6% 1.0% 1.4% 0.6% 0.1%

合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0%

2825398956

年度

產品別2825398956

年度

產品別

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產品別依主要應用市場

2017 2018 2019Q1

比率 比率 比率

射頻(物聯網，航太，無線

通訊) 28.0% 21.7% 10.4%

汽車防撞及車用 23.1% 25.4% 20.0%

光纖網路 22.5% 19.0% 27.6%

高速傳輸元件 11.2% 13.6% 22.7%

紅外線偵測 10.7% 13.0% 15.6%

硬體構件 4.5% 7.3% 3.6%

合計 100.0% 100.0% 100.0%

年度

應用型態

年度

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營運策略與計劃

1.砷化鎵：第二季生產重心仍在保持VCSEL磊晶片穩定交貨，並持續與新增客戶進行產品認證，共同開發高端25G VCSEL各領域的應用，因應物聯網(IoT)產業鏈逐步擴大，高頻，高速的pHEMT產品需求亦持續增加，本公司已通過業界大廠認證，將繼續深耕市場。

2.磷化銦：APD磊晶產品客戶持續增加，國内外大廠訂單陸續到位，PIN及HBT產品訂單同時恢復，第一季度磷化銦產品比例超越砷化鎵，預計今年此趨勢將延續，本季重點為提高生產效率。此外生物應用雷射晶片已邁入進一步的開發階段，本公司將努力優化品質，保持技術領先。

3. 銻化鎵：本季將努力爭取政府國防訂單，將參與政府招標案，並與其他取得國防合約的客戶合作，提供銻化鎵紅外磊晶片。

4.硬體構件：已與MBE機台原製造廠簽定合作意向書，共同開發下一代MBE超大8 x 6”機台，本公司硬體專業團隊將密切保持開發時程。

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Emitter

Base

Collector

0.25 mm

Emitter

Base

Collector

0.25 mm

主要產品:

•砷化鎵(GaAs)磊晶晶片–S公司和Q公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi連結, 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智慧型能源系統, 測試與量測, 物聯網產業應用

–U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達

–潛在市場: 面射型雷射(VCSEL)用於3D感測及光通訊Data Center市場

•磷化銦(InP)磊晶晶片–K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器)

–S公司(HBT):高頻特殊應用, LD driver, TIA

–光通訊用光接收器 PIN/APD (10G PON, Data Center)

–潛在市場: 5G 手機 PA

客戶產品應用領域介紹

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主要產品：

銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片– 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視

、保全、國土安全、太空科技等用途– 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料– 商業公司:主要應用於夜視、保全– 新市場機會：銻化銦（InSb)及镉鋅碲（CZT)基板

聚焦平面列陣（FPA）紅外線熱影像

T2SLS epi-structure

銻化鎵磊晶片

銻化鎵單晶

美國太空總署紅外線衛星攝影於地球表面

聚焦平面列陣（FPA）

產品應用領域介紹

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全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ

法國汽車防撞雷達晶片大廠U公司認證通過，為唯一供應商

K公司 5G高頻量測儀器，為唯一供應商

VCSEL 850nm用於Data Center，940nm用於3D感測，客戶數目持續增加中

MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及

APD有明顯優勢

5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發

英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢

核心競爭優勢-策略與市場定位

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營收展望

2019營收成⾧動能U公司(GaAs) 汽車防撞雷達K公司(InP) 5G 高頻量測產品(InP, GaAs)光通訊 (InP) PIN/APD for 10G PON, Data Center

LD driver, TIAGaSb-IR 進入量產商業化產品, 政府合約

• 2019~2020* VCSEL 用於3D感測及Data Center* InP HBT可望成為5G手機PA 磊晶首選材料

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新廠現況

•建廠時程:

–建物許可(10/4/2016)

–建廠房與無塵室完成 (11/30/2017)

–Ridgemont聯外道路完成(3/1/2018)

–設備安裝許可(TCO) (3/15/2018)

–單晶長晶爐安裝完成(4/20/2018)

–第一台MBE機台通電測試(5/1/2018)

Ridgemont Drive to IET 3/2/18

16 MBEs Room

Cleanroom 3/8/2018

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謝謝大家，敬請指教

Q & A