View
60
Download
0
Category
Preview:
DESCRIPTION
ELECTROPHYSICAL COMPLEX ON BASIS OF THE ELECTROSTATIC ACCELERATOR ESA-2 FOR FUNDAMENTAL AND APPLIED INVESTIGATIONS. Lagutin A.E., Boyko E.B., Kamyshan A.S., Komarov F.F. Institute of Applied Physics Problems, Belarussian State University, Minsk, Belarus - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
11
ELECTROPHYSICAL COMPLEX ON BASISOF THE ELECTROSTATIC ACCELERATOR ESA-2FOR FUNDAMENTAL AND APPLIED INVESTIGATIONS
Institute of Applied Physics ProblemsBelarussian State University Minsk Belarus e-mail Lagutinbsuby
Lagutin AE Boyko EB Kamyshan AS Komarov FF
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
22
УСКОРИТЕЛЬ ЭСУ-2
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ УСКОРИТЕЛИ ИОНОВЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ УСКОРИТЕЛИ ИОНОВ
УСКОРИТЕЛЬ HVEE AN-2500
диапазон энергий кэВ 180 divide 1000
ускоряемые ионы от Н+ до Ar+
стабильность энергии plusmn 01
ток на мишени до 40 мкА
диапазон энергий кэВ1000divide2500
ускоряемые ионы Н+ Не+
стабильность энергии plusmn 001
ток на мишени до 200 мкА
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
33
Имплантационный модульИмплантационный модуль
1) тип имплантируемых ионов H+ H2+ N+ N2
+ Ar+
2) энергия имплантируемых ионов H+ H2+ (200
1000) кэВN+ N2
+ (200 1000) кэВ
Ar+ (200 800) кэВ3) немонохроматичность ионного пучка 05 4) полный ток на мишени до 40 мкА5) минимальный диаметр пятна на мишени 7 мм6) диаметр обрабатываемых пластин до 100 мм7) тип развертки ионного пучка электростатический8) вакуум в мишенной камере не более 7105 Па9) диапазон температуры мишени (25 500)deg С
Параметры имплантера
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
44
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материаловФормирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в Формирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии субстехиометрической имплантацией азотакремнии субстехиометрической имплантацией азота
Первая (ldquoгорячаяrdquo) имплантацияУсловияУсловия t= 400 C энергия N2
+ 400 280 200 кэВ дозы 65middot1016 33middot1016 и 31middot1016 ионсм2 соответственно Концентрация азота в скрытом слое составляет в среднем 11divide14
Энергетические спектры РОР ионов He+ с энергией15 МэВ кристалла Si после имплантации ионов N2
+ 1 ndash осевой lt100gt спектримплантация в исходный Si 270 кэВ 5middot1015 ионсм2 при t = 25deg C2 - осевой lt100gt спектр 230 кэВ 5middot1016 ионсм2
при 400deg C + 270 кэВ 5middot1015 ион см2 при t = 25deg C(- - -) ndash осевой lt100gt для исходного Si(minus) ndash случайный спектр
Вторая (ldquoхолоднаяrdquo) имплантация УсловияУсловия энергия ndash 400 и 200 кэВ доза ndash 065middot1016 и 031middot1016 ионсм2 соответственно Постимплантационный отжиг t= 900 divide 950deg C в азоте в течение 30 мин Получено- среднее значение удельного сопротивления 11middot106 Омmiddotсм- толщина скрытого слоя - около 300 нм- толщина приповерхностного рабочего слоя - около 160 нм
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
55
Изменение оптических характеристик органических Изменение оптических характеристик органических материаловматериалов
000
020
040
060
080
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
Отн
изм
енен
ие то
лщин
ы
14
15
16
17
18
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
К-нт
пре
лом
лени
я
Дозовые зависимости изменения толщины Δ dd пленок ПММА
Дозовые зависимости изменения коэффициента преломления пленок ПММА
Пленки полиметилметакрилата [C5H8O2]n
УсловияУсловия N2+ c энергией 300 кэВ и дозами 1012 divide1015 ионсм2
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
см2
см2
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
66
Энергия ионовH+ кэВ
50 130 220 300 400
Доза ионсм2 42middot1013
53middot1013 62middot1013
80middot1013
1middot1014
Режимы имплантации при комнатной температуре
Создание вертикальной изоляции в арсениде галлияСоздание вертикальной изоляции в арсениде галлия
Удельное сопротивление изоляции 3∙103∙1088 Ом∙см Ом∙см
Зависимость удельного сопротивления облученного эпитаксиального слоя GaAs c начальным сопротивлением 055 Ом∙см от температуры
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
0 1 2 3 41017
1018
1019
1020
54321
Конц
ентр
ация
вак
анси
й (с
м-3)
Глубина (мкм)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
77
АНАЛИТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
Аналитический модуль РОР с ЭСААналитический модуль РОР с ЭСА
Параметры ЭСА1 Угол поворота ионного пучка Ф е = 900
2 Радиус кривизны r0 = 30 cм r2 ndash r1 = 08 cм3 Телесный угол стягиваемый детектором ΔΩ = 1310-4 ср4 Потенциал на электродах ЭСА от plusmn 45 до plusmn 7500 В5 Диапазон анализируемых энергий от 40 до 281 кэВ6 Энергетическое разрешение 1
Электростатический анализатор энергии
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
22
УСКОРИТЕЛЬ ЭСУ-2
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ УСКОРИТЕЛИ ИОНОВЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ УСКОРИТЕЛИ ИОНОВ
УСКОРИТЕЛЬ HVEE AN-2500
диапазон энергий кэВ 180 divide 1000
ускоряемые ионы от Н+ до Ar+
стабильность энергии plusmn 01
ток на мишени до 40 мкА
диапазон энергий кэВ1000divide2500
ускоряемые ионы Н+ Не+
стабильность энергии plusmn 001
ток на мишени до 200 мкА
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
33
Имплантационный модульИмплантационный модуль
1) тип имплантируемых ионов H+ H2+ N+ N2
+ Ar+
2) энергия имплантируемых ионов H+ H2+ (200
1000) кэВN+ N2
+ (200 1000) кэВ
Ar+ (200 800) кэВ3) немонохроматичность ионного пучка 05 4) полный ток на мишени до 40 мкА5) минимальный диаметр пятна на мишени 7 мм6) диаметр обрабатываемых пластин до 100 мм7) тип развертки ионного пучка электростатический8) вакуум в мишенной камере не более 7105 Па9) диапазон температуры мишени (25 500)deg С
Параметры имплантера
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
44
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материаловФормирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в Формирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии субстехиометрической имплантацией азотакремнии субстехиометрической имплантацией азота
Первая (ldquoгорячаяrdquo) имплантацияУсловияУсловия t= 400 C энергия N2
+ 400 280 200 кэВ дозы 65middot1016 33middot1016 и 31middot1016 ионсм2 соответственно Концентрация азота в скрытом слое составляет в среднем 11divide14
Энергетические спектры РОР ионов He+ с энергией15 МэВ кристалла Si после имплантации ионов N2
+ 1 ndash осевой lt100gt спектримплантация в исходный Si 270 кэВ 5middot1015 ионсм2 при t = 25deg C2 - осевой lt100gt спектр 230 кэВ 5middot1016 ионсм2
при 400deg C + 270 кэВ 5middot1015 ион см2 при t = 25deg C(- - -) ndash осевой lt100gt для исходного Si(minus) ndash случайный спектр
Вторая (ldquoхолоднаяrdquo) имплантация УсловияУсловия энергия ndash 400 и 200 кэВ доза ndash 065middot1016 и 031middot1016 ионсм2 соответственно Постимплантационный отжиг t= 900 divide 950deg C в азоте в течение 30 мин Получено- среднее значение удельного сопротивления 11middot106 Омmiddotсм- толщина скрытого слоя - около 300 нм- толщина приповерхностного рабочего слоя - около 160 нм
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
55
Изменение оптических характеристик органических Изменение оптических характеристик органических материаловматериалов
000
020
040
060
080
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
Отн
изм
енен
ие то
лщин
ы
14
15
16
17
18
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
К-нт
пре
лом
лени
я
Дозовые зависимости изменения толщины Δ dd пленок ПММА
Дозовые зависимости изменения коэффициента преломления пленок ПММА
Пленки полиметилметакрилата [C5H8O2]n
УсловияУсловия N2+ c энергией 300 кэВ и дозами 1012 divide1015 ионсм2
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
см2
см2
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
66
Энергия ионовH+ кэВ
50 130 220 300 400
Доза ионсм2 42middot1013
53middot1013 62middot1013
80middot1013
1middot1014
Режимы имплантации при комнатной температуре
Создание вертикальной изоляции в арсениде галлияСоздание вертикальной изоляции в арсениде галлия
Удельное сопротивление изоляции 3∙103∙1088 Ом∙см Ом∙см
Зависимость удельного сопротивления облученного эпитаксиального слоя GaAs c начальным сопротивлением 055 Ом∙см от температуры
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
0 1 2 3 41017
1018
1019
1020
54321
Конц
ентр
ация
вак
анси
й (с
м-3)
Глубина (мкм)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
77
АНАЛИТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
Аналитический модуль РОР с ЭСААналитический модуль РОР с ЭСА
Параметры ЭСА1 Угол поворота ионного пучка Ф е = 900
2 Радиус кривизны r0 = 30 cм r2 ndash r1 = 08 cм3 Телесный угол стягиваемый детектором ΔΩ = 1310-4 ср4 Потенциал на электродах ЭСА от plusmn 45 до plusmn 7500 В5 Диапазон анализируемых энергий от 40 до 281 кэВ6 Энергетическое разрешение 1
Электростатический анализатор энергии
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
33
Имплантационный модульИмплантационный модуль
1) тип имплантируемых ионов H+ H2+ N+ N2
+ Ar+
2) энергия имплантируемых ионов H+ H2+ (200
1000) кэВN+ N2
+ (200 1000) кэВ
Ar+ (200 800) кэВ3) немонохроматичность ионного пучка 05 4) полный ток на мишени до 40 мкА5) минимальный диаметр пятна на мишени 7 мм6) диаметр обрабатываемых пластин до 100 мм7) тип развертки ионного пучка электростатический8) вакуум в мишенной камере не более 7105 Па9) диапазон температуры мишени (25 500)deg С
Параметры имплантера
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
44
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материаловФормирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в Формирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии субстехиометрической имплантацией азотакремнии субстехиометрической имплантацией азота
Первая (ldquoгорячаяrdquo) имплантацияУсловияУсловия t= 400 C энергия N2
+ 400 280 200 кэВ дозы 65middot1016 33middot1016 и 31middot1016 ионсм2 соответственно Концентрация азота в скрытом слое составляет в среднем 11divide14
Энергетические спектры РОР ионов He+ с энергией15 МэВ кристалла Si после имплантации ионов N2
+ 1 ndash осевой lt100gt спектримплантация в исходный Si 270 кэВ 5middot1015 ионсм2 при t = 25deg C2 - осевой lt100gt спектр 230 кэВ 5middot1016 ионсм2
при 400deg C + 270 кэВ 5middot1015 ион см2 при t = 25deg C(- - -) ndash осевой lt100gt для исходного Si(minus) ndash случайный спектр
Вторая (ldquoхолоднаяrdquo) имплантация УсловияУсловия энергия ndash 400 и 200 кэВ доза ndash 065middot1016 и 031middot1016 ионсм2 соответственно Постимплантационный отжиг t= 900 divide 950deg C в азоте в течение 30 мин Получено- среднее значение удельного сопротивления 11middot106 Омmiddotсм- толщина скрытого слоя - около 300 нм- толщина приповерхностного рабочего слоя - около 160 нм
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
55
Изменение оптических характеристик органических Изменение оптических характеристик органических материаловматериалов
000
020
040
060
080
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
Отн
изм
енен
ие то
лщин
ы
14
15
16
17
18
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
К-нт
пре
лом
лени
я
Дозовые зависимости изменения толщины Δ dd пленок ПММА
Дозовые зависимости изменения коэффициента преломления пленок ПММА
Пленки полиметилметакрилата [C5H8O2]n
УсловияУсловия N2+ c энергией 300 кэВ и дозами 1012 divide1015 ионсм2
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
см2
см2
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
66
Энергия ионовH+ кэВ
50 130 220 300 400
Доза ионсм2 42middot1013
53middot1013 62middot1013
80middot1013
1middot1014
Режимы имплантации при комнатной температуре
Создание вертикальной изоляции в арсениде галлияСоздание вертикальной изоляции в арсениде галлия
Удельное сопротивление изоляции 3∙103∙1088 Ом∙см Ом∙см
Зависимость удельного сопротивления облученного эпитаксиального слоя GaAs c начальным сопротивлением 055 Ом∙см от температуры
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
0 1 2 3 41017
1018
1019
1020
54321
Конц
ентр
ация
вак
анси
й (с
м-3)
Глубина (мкм)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
77
АНАЛИТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
Аналитический модуль РОР с ЭСААналитический модуль РОР с ЭСА
Параметры ЭСА1 Угол поворота ионного пучка Ф е = 900
2 Радиус кривизны r0 = 30 cм r2 ndash r1 = 08 cм3 Телесный угол стягиваемый детектором ΔΩ = 1310-4 ср4 Потенциал на электродах ЭСА от plusmn 45 до plusmn 7500 В5 Диапазон анализируемых энергий от 40 до 281 кэВ6 Энергетическое разрешение 1
Электростатический анализатор энергии
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
44
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материаловФормирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в Формирование скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии субстехиометрической имплантацией азотакремнии субстехиометрической имплантацией азота
Первая (ldquoгорячаяrdquo) имплантацияУсловияУсловия t= 400 C энергия N2
+ 400 280 200 кэВ дозы 65middot1016 33middot1016 и 31middot1016 ионсм2 соответственно Концентрация азота в скрытом слое составляет в среднем 11divide14
Энергетические спектры РОР ионов He+ с энергией15 МэВ кристалла Si после имплантации ионов N2
+ 1 ndash осевой lt100gt спектримплантация в исходный Si 270 кэВ 5middot1015 ионсм2 при t = 25deg C2 - осевой lt100gt спектр 230 кэВ 5middot1016 ионсм2
при 400deg C + 270 кэВ 5middot1015 ион см2 при t = 25deg C(- - -) ndash осевой lt100gt для исходного Si(minus) ndash случайный спектр
Вторая (ldquoхолоднаяrdquo) имплантация УсловияУсловия энергия ndash 400 и 200 кэВ доза ndash 065middot1016 и 031middot1016 ионсм2 соответственно Постимплантационный отжиг t= 900 divide 950deg C в азоте в течение 30 мин Получено- среднее значение удельного сопротивления 11middot106 Омmiddotсм- толщина скрытого слоя - около 300 нм- толщина приповерхностного рабочего слоя - около 160 нм
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
55
Изменение оптических характеристик органических Изменение оптических характеристик органических материаловматериалов
000
020
040
060
080
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
Отн
изм
енен
ие то
лщин
ы
14
15
16
17
18
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
К-нт
пре
лом
лени
я
Дозовые зависимости изменения толщины Δ dd пленок ПММА
Дозовые зависимости изменения коэффициента преломления пленок ПММА
Пленки полиметилметакрилата [C5H8O2]n
УсловияУсловия N2+ c энергией 300 кэВ и дозами 1012 divide1015 ионсм2
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
см2
см2
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
66
Энергия ионовH+ кэВ
50 130 220 300 400
Доза ионсм2 42middot1013
53middot1013 62middot1013
80middot1013
1middot1014
Режимы имплантации при комнатной температуре
Создание вертикальной изоляции в арсениде галлияСоздание вертикальной изоляции в арсениде галлия
Удельное сопротивление изоляции 3∙103∙1088 Ом∙см Ом∙см
Зависимость удельного сопротивления облученного эпитаксиального слоя GaAs c начальным сопротивлением 055 Ом∙см от температуры
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
0 1 2 3 41017
1018
1019
1020
54321
Конц
ентр
ация
вак
анси
й (с
м-3)
Глубина (мкм)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
77
АНАЛИТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
Аналитический модуль РОР с ЭСААналитический модуль РОР с ЭСА
Параметры ЭСА1 Угол поворота ионного пучка Ф е = 900
2 Радиус кривизны r0 = 30 cм r2 ndash r1 = 08 cм3 Телесный угол стягиваемый детектором ΔΩ = 1310-4 ср4 Потенциал на электродах ЭСА от plusmn 45 до plusmn 7500 В5 Диапазон анализируемых энергий от 40 до 281 кэВ6 Энергетическое разрешение 1
Электростатический анализатор энергии
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
55
Изменение оптических характеристик органических Изменение оптических характеристик органических материаловматериалов
000
020
040
060
080
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
Отн
изм
енен
ие то
лщин
ы
14
15
16
17
18
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15Доза ион
К-нт
пре
лом
лени
я
Дозовые зависимости изменения толщины Δ dd пленок ПММА
Дозовые зависимости изменения коэффициента преломления пленок ПММА
Пленки полиметилметакрилата [C5H8O2]n
УсловияУсловия N2+ c энергией 300 кэВ и дозами 1012 divide1015 ионсм2
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
см2
см2
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
66
Энергия ионовH+ кэВ
50 130 220 300 400
Доза ионсм2 42middot1013
53middot1013 62middot1013
80middot1013
1middot1014
Режимы имплантации при комнатной температуре
Создание вертикальной изоляции в арсениде галлияСоздание вертикальной изоляции в арсениде галлия
Удельное сопротивление изоляции 3∙103∙1088 Ом∙см Ом∙см
Зависимость удельного сопротивления облученного эпитаксиального слоя GaAs c начальным сопротивлением 055 Ом∙см от температуры
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
0 1 2 3 41017
1018
1019
1020
54321
Конц
ентр
ация
вак
анси
й (с
м-3)
Глубина (мкм)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
77
АНАЛИТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
Аналитический модуль РОР с ЭСААналитический модуль РОР с ЭСА
Параметры ЭСА1 Угол поворота ионного пучка Ф е = 900
2 Радиус кривизны r0 = 30 cм r2 ndash r1 = 08 cм3 Телесный угол стягиваемый детектором ΔΩ = 1310-4 ср4 Потенциал на электродах ЭСА от plusmn 45 до plusmn 7500 В5 Диапазон анализируемых энергий от 40 до 281 кэВ6 Энергетическое разрешение 1
Электростатический анализатор энергии
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
66
Энергия ионовH+ кэВ
50 130 220 300 400
Доза ионсм2 42middot1013
53middot1013 62middot1013
80middot1013
1middot1014
Режимы имплантации при комнатной температуре
Создание вертикальной изоляции в арсениде галлияСоздание вертикальной изоляции в арсениде галлия
Удельное сопротивление изоляции 3∙103∙1088 Ом∙см Ом∙см
Зависимость удельного сопротивления облученного эпитаксиального слоя GaAs c начальным сопротивлением 055 Ом∙см от температуры
Ионно-лучевая модификация материаловИонно-лучевая модификация материалов
0 1 2 3 41017
1018
1019
1020
54321
Конц
ентр
ация
вак
анси
й (с
м-3)
Глубина (мкм)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
77
АНАЛИТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
Аналитический модуль РОР с ЭСААналитический модуль РОР с ЭСА
Параметры ЭСА1 Угол поворота ионного пучка Ф е = 900
2 Радиус кривизны r0 = 30 cм r2 ndash r1 = 08 cм3 Телесный угол стягиваемый детектором ΔΩ = 1310-4 ср4 Потенциал на электродах ЭСА от plusmn 45 до plusmn 7500 В5 Диапазон анализируемых энергий от 40 до 281 кэВ6 Энергетическое разрешение 1
Электростатический анализатор энергии
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
77
АНАЛИТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
Аналитический модуль РОР с ЭСААналитический модуль РОР с ЭСА
Параметры ЭСА1 Угол поворота ионного пучка Ф е = 900
2 Радиус кривизны r0 = 30 cм r2 ndash r1 = 08 cм3 Телесный угол стягиваемый детектором ΔΩ = 1310-4 ср4 Потенциал на электродах ЭСА от plusmn 45 до plusmn 7500 В5 Диапазон анализируемых энергий от 40 до 281 кэВ6 Энергетическое разрешение 1
Электростатический анализатор энергии
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
88
Электростатический анализатор энергииЭлектростатический анализатор энергии
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой хрома (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
780 800 820 840 86000
02
04
06
08
10
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
720 760 800 84000
03
06
09
12
2
1
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Номер канала
Энергетический спектр обратно рассеянных протонов с энергией 240 кэВ пленкой золота (1) и производная dNdE высокоэнергетической границы спектра (2)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
99
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированнойИсследование процессов сегрегации ионно-имплантированной
примеси на границе раздела кремний ndash оксид кремнияпримеси на границе раздела кремний ndash оксид кремния
ОбразецОбразец Si имплантация As с энергией 32 кэВ доза 1015 ионсм2 отжиг t = 1050deg C в течение 10 с
600 640 680 7200
100
200
300
400
As
Si
O
х10
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
УсловияУсловия анализирующий пучок ndash Н+энергия пучка - 210 divide 240 кэВугол регистрации протонов ndash 164degвакуум в камере ndash 10-4 Па
Спектр РОР с ЭСА Н+ с энергией 214 кэВ
Осевой () и ldquoслучайныйrdquo () спектр РОР ионов Не+ с энергией 1 МэВ
60 80 100 120 140 160 180 200 2200
2000
4000
6000
8000
As
Si
O
x30
Вы
ход
отсч
етов
Номер канала
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1010
0 10 20 30 40 50 60 7000
01
02
03
04
05
06
07
08
Конц
ентр
ация
Глубина нматcм2 Si As O
45middot1016 333 0 667
10middot1016 975 25 0
20middot1017 9965 035 0
10middot1017 9985 015 0
infin 100 0 0
Послойный состав структуры
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСА
Расчетный профиль распределения мышьяка по глубине
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1111
730 740 750 760 770 78000
02
04
06
08
10
21
Нор
мир
ован
ный
выхо
дНомер канала
ЕусккэВ Еизм кэВ ∆Е кэВ
Ширина энергетического распределения ионов ΔЕ
фактопределяется
ΔЕфакт
= (ΔЕ2изм
- ΔЕ2кал
)12
Энергетический спектр рассеянных ионов атомарного водорода с энергией 222 кэВ никелевой мишенью (1) и производная от края спектра (2)
Измеренные параметры ионного пучка
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАИзмерение энергетических распределений ионов в пучке Измерение энергетических распределений ионов в пучке
нейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquoнейтронного генератора НГ-12 ГНУ laquoОИЭЯИ-Сосныraquo
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1212
Применение спектрометра РОР с ЭСАПрименение спектрометра РОР с ЭСАКонтроль качества поверхности Si с различной степенью
шероховатости
-6 -4 -2 0 2 4 600
02
04
06
08
10Н
орм
иров
анны
й вы
ход
Энергетическое разрешение кэв
полированный шлифованный ( 1 мкм) шлифованный ( 4 мкм)
Энергетические спектры РОР поверхности кремния с различной степенью шероховатости
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1313
Экспериментальная установкаЭкспериментальная установка
Параметры установки
1)Измеренная угловая расходимость зондирующего пучка plusmn 210-
2 град при немонохроматичности менее 01
2)скорость сканирования угловых распределений не превышает 2510-3 градс
3)диапазон сканирования 0 divide 70 град
4) полное измеренное энергетическое разрешение системы регистрации 19 кэВ
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1414
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
Угловые распределения энергетических потерь протонов в lt111gt кристалле Si толщиной 13 (а) и 2 мкм (б) Угол между кристаллографической осью и пучком 0deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1515
Угловые распределения отраженных поверхностью кремния протонов с энергией 380 кэВ при углах падения 03ordm (1) и 05ordm (2)
Взаимодействие протонов с кремниемВзаимодействие протонов с кремнием
240 280 320 360 40000
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Энергия кэВ
полированный шлифованный (1 мкм)
00 04 08 12 16 20 24 2800
02
04
06
08
102
1
0005101520253000
02
04
06
08
10
Выход отнед
Угол сканирования град
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Энергетические спектры отраженных поверхностью (111) кремния протонов с энергией 380 кэВ при угле влета относительно поверхности 05deg и угле регистрации 1deg
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1616
-006 -003 000 003 00600
02
04
06
08
10
Нор
мир
ован
ный
выхо
д
Угол сканирования град
Угловые распределения протонов с энергией 240 кэВпри прохождении стеклянного капилляра длиной 60 мм и диаметром 05 мм
Прохождение протонов через капиллярыПрохождение протонов через капилляры
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫ
Х ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
ИМ АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ Ф
ИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ
АН СЕВЧЕНКО БГУ ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛИОНИКИ
1717
ВыводыВыводы- создан спектрометр РОР с энергетическим разрешением 1 за счет
использования разработанного электростатического анализатора энергии для измерения профилей концентрации мелкозалегающей примеси
- разработана установка для исследования процессов взаимодействия заряженных частиц с твердым телом
- разработан высокоэнергетический имплантационный модуль для ионно-лучевой модификации приповерхностных слоев твердотельных материаловНа основе созданного исследовательско-имплантационного комплекса экспериментально изучены
ndash процессы сегрегации имплантированной примеси на границе раздела кремний-оксид кремния происходящие в результате быстрого термического отжига
ndash процессы формирования скрытых высокоомных термостабильных слоев в кремнии вертикальной изоляции в арсениде галлия модификации оптических характеристик диэлектрических материалов
- процессы взаимодействия ускоренных ионов водорода с монокристаллами кремния в режимах движения на просвет и отражение при углах падения ионов на поверхность мишени близких к углу Линдхарда (до 2divide3 ΨL)
Recommended